photonic ပေါင်းစပ် circuit ပစ္စည်းစနစ်များကို နှိုင်းယှဉ်ခြင်း။
ပုံ 1 သည် indium Phosphorus (InP) နှင့် silicon (Si) တို့ကို နှိုင်းယှဉ်ပြထားသည်။ အင်ဒီယမ်၏ရှားပါးမှုသည် InP ကို Si ထက်ပိုမိုစျေးကြီးစေသည်။ ဆီလီကွန်အခြေခံဆားကစ်များသည် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းသောကြောင့်၊ ဆီလီကွန်အခြေခံဆားကစ်များ၏အထွက်နှုန်းသည် InP ဆားကစ်များထက်ပိုမိုမြင့်မားသည်။ ဆီလီကွန်အခြေခံ ဆားကစ်များတွင် ဂျာမနီယမ် (Ge) ကို အများအားဖြင့်သာ အသုံးပြုသည်။ဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာ(အလင်းထောက်လှမ်းကိရိယာများ) သည် epitaxial ကြီးထွားမှု လိုအပ်ပြီး InP စနစ်များတွင် passive waveguides များကိုပင် epitaxial ကြီးထွားမှုဖြင့် ပြင်ဆင်ရမည်ဖြစ်သည်။ Epitaxial ကြီးထွားမှုသည် ပုံဆောင်ခဲတစ်လုံးမှကဲ့သို့ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုထက် ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆ ပိုမိုမြင့်မားပါသည်။ InP waveguides များသည် transverse တွင်သာ အလင်းယိုင်မှုအညွှန်းကိန်း မြင့်မားပြီး ၊ ဆီလီကွန်အခြေခံထားသော waveguides များသည် transverse နှင့် longitudinal နှစ်ခုလုံးတွင် မြင့်မားသောအလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်းဆန့်ကျင်ဘက်များ ရှိသည်၊ ၎င်းသည် silicon-based စက်ပစ္စည်းများကို သေးငယ်သောကွေးညွှတ်သည့်အချင်းဝက်နှင့် အခြားပိုမိုကျစ်လစ်သောဖွဲ့စည်းပုံများကိုရရှိစေပါသည်။ InGaAsP သည် တိုက်ရိုက်တီးဝိုင်းကွာဟချက်ရှိပြီး Si နှင့် Ge မရှိပါ။ ရလဒ်အနေဖြင့် InP ပစ္စည်းစနစ်များသည် လေဆာထိရောက်မှုအရ သာလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။ InP စနစ်များ၏ ပင်ကိုယ်အောက်ဆိုဒ်များသည် Si၊ silicon dioxide (SiO2) ၏ ပင်ကိုယ်အောက်ဆိုဒ်များကဲ့သို့ တည်ငြိမ်ပြီး ကြံ့ခိုင်မှုမရှိပါ။ ဆီလီကွန်သည် InP ထက်ပိုမိုအားကောင်းသည့်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ 300 မီလီမီတာ (မကြာမီ 450 မီလီမီတာသို့ အဆင့်မြှင့်မည့်) မှ InP တွင် 75 မီလီမီတာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုကြီးသော wafer အရွယ်အစားကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ InPmodulators များများသောအားဖြင့် အပူချိန်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော band edge လှုပ်ရှားမှုကြောင့် ကွမ်တမ်ကန့်သတ်ထားသော Stark အကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် မူတည်သည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အနေနှင့်၊ ဆီလီကွန်အခြေခံသော မော်ဂျူလတာများ၏ အပူချိန်မှီခိုမှုသည် အလွန်နည်းပါးပါသည်။
ဆီလီကွန်ဖိုနစ်နည်းပညာကို ယေဘုယျအားဖြင့် တန်ဖိုးနည်း၊ တိုတောင်းသော၊ ပမာဏမြင့်ထုတ်ကုန်များ (တစ်နှစ်လျှင် အပိုင်းပိုင်း ၁ သန်းကျော်) အတွက်သာ သင့်လျော်သည်ဟု ယူဆပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် မျက်နှာဖုံးနှင့် ဖွံ့ဖြိုးရေးကုန်ကျစရိတ်များကို ဖြန့်ကြက်ရန်အတွက် wafer ပမာဏ အများအပြား လိုအပ်ကြောင်း ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် လက်ခံထားသောကြောင့်၊ဆီလီကွန်ဖိုနစ်နည်းပညာမြို့တွင်းဒေသဆိုင်ရာနှင့် ခရီးဝေးထုတ်ကုန်အသုံးချမှုများတွင် သိသာထင်ရှားသော စွမ်းဆောင်ရည် အားနည်းချက်များရှိသည်။ သို့သော် လက်တွေ့တွင်မူ ဆန့်ကျင်ဘက်သည် မှန်ပါသည်။ ကုန်ကျစရိတ်နည်းသော၊ တိုတောင်းသော၊ အထွက်နှုန်းမြင့်မားသော အသုံးချပရိုဂရမ်များ၊ ဒေါင်လိုက်မျက်နှာပြင်ထုတ်လွှတ်သည့်လေဆာ (VCSEL) နှင့်တိုက်ရိုက် ပြုပြင်ထားသော လေဆာ (DML လေဆာ) : တိုက်ရိုက် ပြုပြင်ထားသော လေဆာသည် ကြီးမားသော ပြိုင်ဆိုင်မှု ဖိအားကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး လေဆာများကို အလွယ်တကူ ပေါင်းစပ်နိုင်ခြင်း မရှိသော ဆီလီကွန် အခြေခံ ဓာတ်ပုံနစ် နည်းပညာ အားနည်းချက်သည် သိသာထင်ရှားသော အားနည်းချက် ဖြစ်လာသည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အားဖြင့်၊ မက်ထရို၊ တာဝေးအပလီကေးရှင်းများတွင် ဆီလီကွန်ဖိုနစ်နည်းပညာနှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ်အချက်ပြလုပ်ဆောင်ခြင်း (DSP) ပေါင်းစပ်ခြင်း (အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ရှိလေ့ရှိသော) တို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် လေဆာကို ပိုင်းခြားရန် ပို၍အကျိုးရှိသည်။ ထို့အပြင်၊ ပေါင်းစပ်ထောက်လှမ်းမှုနည်းပညာသည် ဆီလီကွန်ဖိုနစ်နည်းပညာ၏ ချို့ယွင်းချက်များကို ကြီးမားသောအတိုင်းအတာအထိ ဖန်တီးပေးနိုင်သည်၊ ဥပမာ- အမှောင်လျှပ်စီးကြောင်းသည် local oscillator photocurrent ထက်များစွာသေးငယ်သည့်ပြဿနာကဲ့သို့သော ကြီးမားသောအတိုင်းအတာအထိ ဖန်တီးပေးနိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ မျက်နှာဖုံးနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို ကာမိရန် wafer ပမာဏများစွာ လိုအပ်သည်ဟု ထင်မြင်ခြင်းသည် မှားယွင်းနေသည်၊ အကြောင်းမှာ ဆီလီကွန်ဖိုနစ်နည်းပညာသည် အဆင့်မြင့်ဆုံးဖြည့်စွက်သတ္တုအောက်ဆိုဒ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း (CMOS) ထက် များစွာကြီးမားသော node အရွယ်အစားများကို အသုံးပြုထားသောကြောင့်၊ ထို့ကြောင့် လိုအပ်သော မျက်နှာဖုံးများနှင့် ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းများသည် အတော်လေး စျေးသက်သာပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၀၂-၂၀၂၄