Edge Emitting Laser (EEL) မိတ်ဆက်
ပါဝါမြင့်သော semiconductor လေဆာအထွက်ကို ရရှိရန်အတွက် လက်ရှိနည်းပညာသည် edge emission structure ကို အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ edge-emitting semiconductor လေဆာ၏ resonator သည် semiconductor crystal ၏ သဘာဝ dissociation မျက်နှာပြင်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး output beam ကို လေဆာ၏ ရှေ့ဆုံးမှ ထုတ်လွှတ်ပါသည်။ edge-emission type semiconductor လေဆာသည် မြင့်မားသော power output ကို ရရှိနိုင်သော်လည်း ၎င်း၏ အထွက်နေရာသည် ဘဲဥပုံပုံဖြစ်ပြီး အလင်းတန်းအရည်အသွေး ညံ့ဖျင်းပြီး အလင်းတန်းပုံသဏ္ဍာန်ကို အလင်းပုံဖော်စနစ်ဖြင့် ပြုပြင်ရန်လိုအပ်သည်။
အောက်ဖော်ပြပါ ပုံကြမ်းသည် edge-emitting semiconductor လေဆာ၏ ဖွဲ့စည်းပုံကို ပြသထားသည်။ EEL ၏ optical cavity သည် semiconductor ချစ်ပ်၏မျက်နှာပြင်နှင့်အပြိုင်ဖြစ်ပြီး၊ စွမ်းအားမြင့်၊ မြန်နှုန်းမြင့်ပြီး ဆူညံသံနည်းပါးသော လေဆာထုတ်လွှတ်မှုကို သိရှိနိုင်သည့် semiconductor ချစ်ပ်၏အစွန်းတွင် လေဆာထုတ်လွှတ်သည်။ သို့သော် EEL မှ လေဆာရောင်ခြည်ထွက်ရှိမှုသည် ယေဘုယျအားဖြင့် အချိုးမညီသောအလင်းတန်းဖြတ်ပိုင်းနှင့် ကြီးမားသော angular divergence ရှိပြီး ဖိုက်ဘာ သို့မဟုတ် အခြား optical အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ချိတ်ဆက်မှုထိရောက်မှုမှာ နည်းပါးသည်။
EEL အထွက်ပါဝါ တိုးလာခြင်းသည် တက်ကြွသောဒေသရှိ စွန့်ပစ်ပစ္စည်းအပူများစုပုံခြင်းနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အလင်းပိုင်းပျက်စီးမှုများကြောင့် ကန့်သတ်ထားသည်။ တက်ကြွသောဒေသရှိ စွန့်ပစ်အပူများစုပုံခြင်းကို လျှော့ချရန် waveguide ဧရိယာကို တိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် အလင်းအထွက်နှုန်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်၊ အလင်းအထွက်ဧရိယာကို တိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် optical ပါဝါသိပ်သည်းဆကို လျှော့ချနိုင်စေရန်၊ single transverse mode waveguide တည်ဆောက်ပုံတွင် အောင်မြင်သည်။
100mm waveguide အတွက်၊ single edge-emitting laser သည် output power 100 watts ကို ရရှိနိုင်သော်လည်း ယခုအချိန်တွင် waveguide သည် chip ၏ လေယာဉ်ပေါ်တွင် multi-mode ရှိပြီး output beam aspect ratio သည်လည်း 100:1 သို့ရောက်ရှိသွားပါသည်။ ရှုပ်ထွေးသော beam ပုံသဏ္ဍာန်စနစ်တစ်ခုလိုအပ်သည်။
ပစ္စည်းနည်းပညာနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာတွင် အောင်မြင်မှုအသစ်များမရှိဟု ယူဆပါက၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလေဆာ ချစ်ပ်တစ်ခုတည်း၏ output power ကိုတိုးတက်စေရန် အဓိကနည်းလမ်းမှာ ချစ်ပ်၏တောက်ပသောဒေသ၏ strip width ကိုတိုးမြှင့်ရန်ဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ အစင်းကြောင်းအကျယ်ကို မြင့်မားစွာတိုးမြှင့်ခြင်းသည် transverse high-order mode oscillation နှင့် filamentlike oscillation ကိုထုတ်လုပ်ရန်လွယ်ကူသည်၊ ၎င်းသည် light output ၏တူညီမှုကိုအလွန်လျှော့ချမည်ဖြစ်ပြီး output power သည် strip width နှင့်အချိုးကျမတိုးတတ်သောကြောင့် output power ၏ ချစ်ပ်တစ်ခုတည်းသည် အလွန်အကန့်အသတ်ရှိသည်။ အထွက်ပါဝါကို အလွန်တိုးတက်စေရန်အတွက် array နည်းပညာသည် ပေါ်ပေါက်လာပါသည်။ နည်းပညာသည် တူညီသောအလွှာပေါ်တွင် လေဆာယူနစ်များစွာကို ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ယူနစ်တစ်ခုစီကို အနှေးဝင်ရိုးဦးတည်ချက်တွင် အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ယူနစ်တစ်ခုစီအဖြစ် တန်းစီထားနိုင်သရွေ့၊ array အတွင်းရှိ အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ယူနစ်တစ်ခုစီကို ခွဲထုတ်ရန်အတွက် optical isolation နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသရွေ့ နည်းပညာသည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု အနှောင့်အယှက်မဖြစ်အောင်၊ အလင်းဝင်ပေါက်များစွာကို တပ်ဆင်ခြင်းဖြင့်၊ ပေါင်းစပ်အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ယူနစ်အရေအတွက်ကို တိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် ချစ်ပ်တစ်ခုလုံး၏ အထွက်ပါဝါကို တိုးမြှင့်နိုင်သည်။ ဤတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလေဆာချစ်ပ်သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလေဆာဘားဟုလည်းသိကြသည့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလေဆာအခင်းအကျင်း (LDA) ချစ်ပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်- ၀၃-၂၀၂၄