EDGE ENGING LASER (Eel)
မြင့်မားသော Semiconductor Laser output ကိုရရှိရန်လက်ရှိနည်းပညာသည်အစွန်းထုတ်လွှတ်မှုဖွဲ့စည်းပုံကိုအသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ Edge-Emitting Semiconductor Paser ၏ပဲ့တင်ရိုက်မှုသည် Semiconductor Crystal ၏သဘာဝ dismociation surface ကိုရေးဆွဲထားပြီး output outpisse semiconduction semiconductor paster ကိုထုတ်လွှတ်နိုင်သည်။
အောက်ဖော်ပြပါပုံသည်အစွန်းရောက်သော Semiconductor Laser ၏ဖွဲ့စည်းပုံကိုပြသသည်။ ငါးရှ ဦ ၏ optical လိုင်သည် Semiconductor ချစ်ပ်၏မျက်နှာပြင်နှင့်တူပြီးလေဆာရောင်ခြည်စွမ်းဆောင်ရည်အစွန်းတွင်လေဆာရောင်ခြည်စွမ်းအင်ကိုထုတ်လွှင့်သည်။ သို့သော်လေဆာရောင်ခြည်ရောင်ခြည်ထုတ်လုပ်မှုသည်ယူအဲel၏ယေဘုယျအားဖြင့်အချိုးမညီသောရောင်ခြည်အပိုင်းအစများနှင့်ကြီးမားသော angular divergence များရှိပြီးကြီးမားသော angular divergence များရှိသည်။
ငါးရှဥ့် output စွမ်းအားတိုးမြှင့်ခြင်းနှင့် Semiconductor မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ optical Damage တွင် optical Destroy ားတွင်ညစ်ညမ်းမှုအပူစုဆောင်းခြင်းဖြင့်ကန့်သတ်ထားသည်။ အပူဖြည်းဖြည်းချင်းပျက်စီးမှုကိုရှောင်ရှားရန်တက်ကြွသောဒေသရှိစွန့်ပစ်ပစ္စည်းစုဆောင်းမှုကိုလျှော့ချရန်အတွက် Waveguide area ရိယာကိုတိုးမြှင့်ခြင်းအားဖြင့် optical danguage ကိုရှောင်ရှားရန်အလင်းရောင် output ရိယာကိုတိုးမြှင့်ခြင်းအားဖြင့် Transverse Mode Laveguide ဖွဲ့စည်းပုံတွင်ရရှိသော output output ကိုထုတ်လုပ်နိုင်သည့်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းအားကိုတိုးမြှင့်နိုင်သည်။
100mm Waveguide အတွက် Edge-Emitting Laser သည် 0 မ်းသာသောလေဆာရောင်ခြည်ကိုရရှိနိုင်ပါသည်။
ရုပ်ပစ္စည်းနည်းပညာနှင့် Egitaxial တိုးတက်မှုနည်းပညာတွင်အောင်မြင်မှုအသစ်များအရအောင်မြင်မှုအသစ်များမရှိသေးသည့်အချက်အချာကျသောနေရာတွင် Semiconductor Laser ချစ်ပ်၏ output output ကိုတိုးတက်စေရန်အဓိကနည်းလမ်းမှာချစ်ပ်၏တောက်ပသောဒေသကိုမြှင့်တင်ရန်အဓိကနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ သို့သော် stripp ္ဌမအကျယ်အလွန်မြင့်မားစွာတိုးမြှင့်ခြင်းမှာ Transverse High အမိန့် mode oscillation နှင့် foragentlike oscillation ကိုထုတ်လုပ်ရန်လွယ်ကူသည်။ output power ကိုအလွန်တိုးတက်စေရန်အတွက် Array နည်းပညာသည်ဖြစ်တည်မှုသို့ရောက်သည်။ အဆိုပါနည်းပညာသည်လေထုထဲထည့်သွင်းထားသောယူနစ်တစ်ခုစီကိုဖြည်းဖြည်းချင်း 0 င်ရောက်နိုင်သည့်ယူနစ်တစ်ခုစီကိုခွဲခြားရန်အသုံးပြုသည်။ Semiconductor Laser ချစ်ပ်သည် Semiconductor Laser Bar ဟုလည်းလူသိများသော Semiconductor LASER Array chip ဖြစ်သည်။
အချိန် Post အချိန် - ဇွန်-03-2024