Edge Emitting Laser (EEL) မိတ်ဆက်
ပါဝါမြင့်သော semiconductor လေဆာအထွက်ကို ရရှိရန်အတွက် လက်ရှိနည်းပညာသည် edge emission structure ကို အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ edge-emission semiconductor လေဆာ၏ resonator သည် semiconductor crystal ၏ သဘာဝ dissociation မျက်နှာပြင်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး output beam ကို လေဆာ၏ ရှေ့ဆုံးမှ ထုတ်လွှတ်ပါသည်။ edge-emission type semiconductor laser သည် ပါဝါမြင့်မားစွာ ထွက်ရှိနိုင်သော်လည်း ၎င်း၏ output spot သည် elliptical ဖြစ်ပြီး၊ beam အရည်အသွေး ညံ့ဖျင်းပြီး beam ပုံသဏ္ဍာန်ရှိသော beam system ကို ပြုပြင်ရန်လိုအပ်ပါသည်။
အောက်ဖော်ပြပါပုံသည် edge-emitting semiconductor လေဆာ၏ဖွဲ့စည်းပုံကိုပြသထားသည်။ EEL ၏ optical cavity သည် semiconductor ချစ်ပ်၏မျက်နှာပြင်နှင့်အပြိုင်ဖြစ်ပြီး၊ စွမ်းအားမြင့်၊ မြန်နှုန်းမြင့်ပြီး ဆူညံသံနည်းပါးသော လေဆာထုတ်လွှတ်မှုကို သိရှိနိုင်သည့် semiconductor ချစ်ပ်၏အစွန်းတွင် လေဆာထုတ်လွှတ်သည်။ သို့သော် EEL မှ လေဆာရောင်ခြည်ထွက်ရှိမှုသည် ယေဘုယျအားဖြင့် အချိုးမညီသောအလင်းတန်းဖြတ်ပိုင်းနှင့် ကြီးမားသော angular divergence ရှိပြီး ဖိုက်ဘာ သို့မဟုတ် အခြား optical အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ချိတ်ဆက်မှုထိရောက်မှုမှာ နည်းပါးသည်။
EEL အထွက်ပါဝါ တိုးလာခြင်းသည် တက်ကြွသောဒေသရှိ စွန့်ပစ်ပစ္စည်းအပူများစုပုံခြင်းနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အလင်းပိုင်းပျက်စီးမှုများကြောင့် ကန့်သတ်ထားသည်။ အလင်းအထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် တက်ကြွသောဒေသရှိ စွန့်ပစ်အပူများစုပုံခြင်းကို လျှော့ချရန် waveguide ဧရိယာကို တိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့်၊ optical ပျက်စီးမှုကို ရှောင်ရှားရန် single transverse mode waveguide တည်ဆောက်ပုံတွင် အလင်းအထွက်နှုန်းကို တိုးမြှင့်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။
100mm waveguide အတွက်၊ single edge-emitting laser သည် output power 100 watts ကိုရရှိနိုင်သော်လည်း waveguide သည် chip ၏လေယာဉ်ပေါ်တွင် multi-mode မြင့်မားနေပြီး output beam aspect ratio သည် 100:1 သို့ရောက်ရှိပြီး complex beam shaping system လိုအပ်ပါသည်။
ပစ္စည်းနည်းပညာနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာတွင် အောင်မြင်မှုအသစ်များမရှိဟု ယူဆပါက၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလေဆာ ချစ်ပ်တစ်ခုတည်း၏ output power ကိုတိုးတက်စေရန် အဓိကနည်းလမ်းမှာ ချစ်ပ်၏တောက်ပသောဒေသ၏ strip width ကိုတိုးမြှင့်ရန်ဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ strip width ကို မြင့်မားအောင် တိုးမြှင့်ခြင်းသည် transverse high-order mode oscillation နှင့် filamentlike oscillation ကို ထုတ်လုပ်ရန် လွယ်ကူသည်၊ ၎င်းသည် light output ၏ တူညီမှုကို များစွာ လျှော့ချပေးမည်ဖြစ်ပြီး output power သည် strip width နှင့်အတူ အချိုးကျ မတိုးတတ်သောကြောင့် chip တစ်ခုတည်း၏ output power သည် အလွန်အကန့်အသတ်ရှိပါသည်။ အထွက်ပါဝါကို အလွန်တိုးတက်စေရန်အတွက် array နည်းပညာသည် ပေါ်ပေါက်လာပါသည်။ နည်းပညာသည် တူညီသောအလွှာပေါ်တွင် လေဆာယူနစ်များစွာကို ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ယူနစ်တစ်ခုစီကို အနှေးဝင်ရိုးဦးတည်ချက်အတိုင်း စီတန်းထားနိုင်ရန်၊ array အတွင်းရှိအလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ယူနစ်တစ်ခုစီကို သီးခြားခွဲထုတ်ရန် optical isolation နည်းပညာကိုအသုံးပြုထားသရွေ့ အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ယူနစ်တစ်ခုစီကို အနှောင့်အယှက်မဖြစ်စေရန်၊ အလင်းထုတ်လွှတ်မှုတစ်ခုလုံးကို ပေါင်းစည်းထားသည့် အလင်းဝင်ပေါက်တစ်ခုစီကို ပေါင်းစည်းခြင်းဖြင့် သင်လုပ်နိုင်သည် ထုတ်လွှတ်သောယူနစ်များ။ ဤတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလေဆာချစ်ပ်သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလေဆာဘားဟုလည်းသိကြသည့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလေဆာအခင်းအကျင်း (LDA) ချစ်ပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်- ၀၃-၂၀၂၄