Semiconductor Laser (VCESD) ထုတ်လွှတ်သောဒေါင်လိုက်လိုင်မျက်နှာပြင်ကိုနိဒါန်းနိဒါန်း

ထုတ်လွှင့်သောဒေါင်လိုက်လိုင်မျက်နှာပြင်မှနိဒါန်းsemiconductor လေဆာ(vcel)
Vertical External Cavity Scarity Surviring Pasers များကို 1990 ပြည့်လွန်နှစ်များအလယ်အလတ်တွင်ရိုးရာ semiconductor pasers များဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကိုကျော်လွှားနိုင်သည့်အဓိကပြ problem နာကိုကျော်လွှားရန် 1990 ပြည့်လွန်နှစ်များအလယ်ပိုင်းတွင်တီထွင်ခဲ့သည်။
ဒေါင်လိုက်ပြင်ပအခေါင်းပေါက်မျက်နှာပြင် - ထုတ်လွှတ်ခြင်း (vecsss),semiconductor disc ကိုလေဆာ(SDL) သည်လေဆာမိသားစု 0 င်အသစ်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်စတုတ်ထအကြိမ်ရေအားလျှပ်စစ်၏ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းမှုနှင့်အထူကိုပြောင်းလဲခြင်းကိုပြောင်းလဲခြင်းဖြင့်ထုတ်လွှတ်ပေးသောလှိုင်းအလျားကိုဒီဇိုင်းထုတ်နိုင်သည်။ လေဆာရောင်ပြန်ရှင်ကို Gear ချစ်ပ်၏အောက်ခြေ DBR ဖွဲ့စည်းမှုနှင့်ပြင်ပ output coupling မှန်၏အောက်ခြေ DBR ဖွဲ့စည်းမှုဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဤထူးခြားသောပြင်ပပဲ့တင်ထပ်ရေးတည်ဆောက်ပုံသည်အလွန်အမင်းကိန်းဂဏန်းများကိုအကြိမ်ရေနှစ်ဆတိုးခြင်း,လေဆာအရင်းအမြစ်biophotonics မှ application များအနေဖြင့် Spectroscopy,လေဆာဆေးနှင့်လေဆာစီမံကိန်း။
VC-Surface မှထုတ်ပြန်သူ Semiconductor Laser ၏ပဲ့တင်ရိုက်မှုသည်တက်ကြွသောဒေသတွင်ဖော်ပြထားသည့်လေယာဉ်သို့ Perpendicular သည်တက်ကြွသောဒေသ၏လေယာဉ်၏လေယာဉ်ပေါ်ရှိ Perpendicular တွင်ပါ 0 င်သည်။ ၎င်းသည်လေဆာရောင်ခြည်မျက်နှာပြင်, optical ဆက်သွယ်ရေးနှင့် optical နာရီများ၏ application များတွင်အလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပြသည်။ သို့သော် VCSLS သည် WATL အဆင့်အထက်ရှိမြင့်မားသောလေဆာရောင်ခြည်များကိုမရရှိနိုင်ပါ။

VCEL ၏လေဆာပဲ့တင်ရိုက်သူကိုတက်ကြွသောဒေသ၏အထက်ပိုင်းနှင့်အောက်ပိုင်းရှိ Semiconductor ပစ္စည်းနှင့်အတူ Semiconductor ပစ္စည်းနှင့်အတူပါ 0 င်သော Semiconductor ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ပေါင်းစပ်ထားသော bragg ရောင်ပြန်ရေးရာ (DBR) ဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်လေဆာလေဆာာေးငါးရှဥ့်၌ cleavage လေယာဉ်၏ရေးစပ်ပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှု။ VCSESED optical ပဲ့တင်ရိုက်သူ၏ညွှန်ပြခြင်းသည်ချစ်ပ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် perpendicular ဖြစ်သည်။ လေဆာရောင်ခြည်သည် perpender မှပါ 0 င်သည်။
VCEL ၏လေဆာပဲ့တင်ရိုက်သူတစ် ဦး သည်ယေဘုယျအားဖြင့်ယေဘုယျအားဖြင့်ငါးမီလီမီတာရှယ်လ၏ဆန္ဒပရက်တွေ့သတ်ဖြတ်မှုထက်သေးငယ်သည်။ အခြေခံ transverse mode output ကိုအောင်မြင်နိုင်ပေမယ့် output power သည် Milliwatt အတော်များများသို့သာရောက်နိုင်သည်။ VCESS output paser ရောင်ခြည်၏ Cross-section profile သည်မြို့ပတ်ရထားနှင့်မတူကွဲပြားထောင့်သည်အစွန်းရောက်လေဆာရောင်ခြည်ထက်ငယ်သည်။ VCSel ၏မြင့်မားသောစွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုကိုရရှိရန်တောက်ပသောဒေသကိုတိုးပွားစေရန်ပိုမိုများပြားလာရန်လိုအပ်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်တောက်ပသောဒေသတစ်ခုတွင်ယူနီဖောင်းသည်လက်ရှိထိုးဆေးများကိုရရှိရန်ခက်ခဲသည်။ မထင်မှတ်သောလက်ရှိထိုးဆေးသည်စွန့်ပစ်ပစ္စည်းအပူချိန်ကိုပိုမိုဆိုးရှားစေပြီး output သည်တစ်ခုတည်းသော mode ကိုမှတစ်ဆင့် output mode ကိုမကြာခဏပေါင်းစပ်နိုင်သည်။