အနီအောက်ရောင်ခြည် နိမ့်သည်။နှင်းမုန်တိုင်း ဓါတ်ပုံဖမ်းစက်
အနီအောက်ရောင်ခြည် နှင်းလျှောကျနေသော ဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာ (APD ဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာ) သည် အတန်းတစ်ခုဖြစ်သည်။semiconductor photoelectric ကိရိယာများဖိုတွန်အနည်းငယ် သို့မဟုတ် ဖိုတွန်တစ်ခုတည်းကိုပင် ထောက်လှမ်းနိုင်စေရန်အတွက် collision ionization effect မှတစ်ဆင့် မြင့်မားသောအမြတ်ကို ထုတ်ပေးပါသည်။ သို့သော် သမားရိုးကျ APD photodetector တည်ဆောက်ပုံများတွင်၊ မျှခြေမဟုတ်သော ဖြန့်ကျက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်၊ ထိုကဲ့သို့သော နှင်းလျှောစီးမှုအဆင့်ဗို့အား 50-200 V သို့ရောက်ရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။ ၎င်းသည် စက်ပစ္စည်း၏ drive ဗို့အားနှင့် readout circuit ဒီဇိုင်းတွင် မြင့်မားသောတောင်းဆိုမှုများကို တိုးလာစေပြီး ကုန်ကျစရိတ်များ တိုးမြင့်ကာ ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုများကို ကန့်သတ်ထားသည်။
မကြာသေးမီက၊ တရုတ်သုတေသနပြုချက်သည် နှင်းပြိုကျမှုအဆင့်ဗို့အားနည်းပါးပြီး အာရုံခံနိုင်စွမ်းမြင့်မားသည့် အနီအောက်ရောင်ခြည် ထောက်လှမ်းသည့်ကိရိယာအနီးတွင် နှင်းပြိုကျမှုပုံစံအသစ်တစ်ခုကို အဆိုပြုခဲ့သည်။ အက်တမ်အလွှာ၏ self-doping homojunction ကိုအခြေခံ၍ avalanche photodetector သည် heterojunction တွင်ရှောင်လွှဲ၍မရသော interface ချို့ယွင်းချက်ကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသောအန္တရာယ်ရှိသောပြန့်ကျဲမှုကိုဖြေရှင်းပေးသည်။ ဤအတောအတွင်း၊ ဘာသာပြန်ခြင်း ကျိုးကြောင်းဆီလျော်မှုမှ လှုံ့ဆော်ပေးသော အားကောင်းသော ဒေသခံ "အထွတ်အထိပ်" လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို သယ်ဆောင်သူများကြား coulomb အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုကို မြှင့်တင်ရန်၊ off-plane phonon mode လွှမ်းမိုးထားသော ဖြန့်ကြဲခြင်းကို ဖိနှိပ်ကာ မျှခြေမဟုတ်သော သယ်ဆောင်သူများ၏ နှစ်ဆမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိစေရန် အသုံးပြုပါသည်။ အခန်းအပူချိန်တွင်၊ အတိုင်းအတာစွမ်းအင်သည် သီအိုရီကန့်သတ်ချက်နှင့် နီးကပ်နေပါသည်။ ဥပမာ (ဥပမာ- semiconductor ၏ band gap) နှင့် infrared avalanche detector ၏ အာရုံခံနိုင်စွမ်းသည် ဖိုတွန်အဆင့် 10000 အထိဖြစ်သည်။
ဤလေ့လာမှုသည် အက်တမ်-အလွှာတွင် ကိုယ်တိုင်ဆေးကြောထားသော တန်စတင်ဒစ်လင်နိုက် (Wse₂) homojunction (two-dimensional transition metal chalcogenide, TMD) ကို အခြေခံ၍ အားသွင်းမှုသယ်ဆောင်သူသည် နှင်းထုပြိုကျမှုများအတွက် အမြတ်အစွန်းတစ်ခုအဖြစ် အခြေခံထားသည်။ spatial translational symmetry breaking သည် mutant homojunction interface တွင် အားကောင်းသော local "spike" လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေရန်အတွက် မြေမျက်နှာသွင်ပြင်အဆင့် ပြောင်းလဲမှုတစ်ခုကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်းဖြင့် အောင်မြင်သည်။
ထို့အပြင်၊ အက်တမ်အထူသည် phonon မုဒ်မှ လွှမ်းမိုးထားသော ကြဲဖြန့်မှုယန္တရားကို ဖိနှိပ်နိုင်ပြီး မျှခြေမညီသော သယ်ဆောင်သူ၏ အရှိန်အဟုန်နှင့် ပွားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို သိရှိနိုင်သည် ။ ၎င်းသည် သီအိုရီကန့်သတ်ချက်နှင့် နီးစပ်သော အခန်းအပူချိန်တွင် နှင်းလျှောချသည့်အဆင့်တွင် စွမ်းအင်ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပတ်ဂတ် (Eg. avalanche threshold ဗို့အား 50 V မှ 1.6 V သို့ လျှော့ချခဲ့ပြီး သုတေသီများအား နှင်းပြိုကျမှုကို မောင်းနှင်ရန်အတွက် ရင့်ကျက်သော ဗို့အားနိမ့် ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များကို အသုံးပြုခွင့်ပေးခဲ့သည်။ဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာထို့အပြင် drive diodes နှင့် transistor များ။ ဤလေ့လာမှုသည် အလွန်အမင်းအထိခိုက်မခံသော၊ အနိမ့်ဆုံးအဆင့်နှင့် မြင့်မားသောနှင်းငွေ့ပျံအနီအောက်ရောင်ခြည် ထောက်လှမ်းမှုနည်းပညာ၏ မျိုးဆက်သစ်များ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် ရှုထောင့်အသစ်ကို ပံ့ပိုးပေးသည့် low threshold avalanche multiplication effect ဒီဇိုင်းဖြင့် မျှခြေမညီသော သယ်ဆောင်စွမ်းအင်ကို ထိရောက်စွာပြောင်းလဲခြင်းနှင့် အသုံးချခြင်းကို သိရှိနားလည်ပါသည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ ၁၆-၂၀၂၅