ပါးလွှာပြီး နူးညံ့သော semiconductor ပစ္စည်းအသစ်များကို မိုက်ခရိုနှင့်နာနို optoelectronic ကိရိယာများ
ကြိုးများ၊ နာနိုမီတာအနည်းငယ်သာထူခြင်း၊ ကောင်းမွန်သော အလင်းတန်းဂုဏ်သတ္တိများ… သတင်းထောက်က နန်ကျင်းနည်းပညာတက္ကသိုလ်မှ သိရှိခဲ့ရသည်မှာ ကျောင်း၏ ရူပဗေဒဌာန ပါမောက္ခ၏ သုတေသနအဖွဲ့သည် အလွန်ပါးလွှာသော အရည်အသွေးမြင့် နှစ်ဖက်မြင် ခဲအိုင်အိုဒိုက်ပုံဆောင်ခဲကို ပြင်ဆင်ထားပြီး ၎င်းမှတစ်ဆင့် နှစ်ဖက်မြင် အကူးအပြောင်းသတ္တုဆာလဖိုက်ပစ္စည်းများ၏ အလင်းတန်းဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းညှိပေးခဲ့ပြီး ဆိုလာဆဲလ်များ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အကြံဉာဏ်အသစ်တစ်ခုကို ပေးစွမ်းခဲ့သည်။ဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာများရလဒ်များကို နိုင်ငံတကာဂျာနယ် Advanced Materials ၏ နောက်ဆုံးထုတ်တွင် ဖော်ပြခဲ့သည်။
“ကျွန်ုပ်တို့ ပထမဆုံးအကြိမ် ပြင်ဆင်ထားသော အလွန်ပါးလွှာသော ခဲအိုင်အိုဒိုက် နာနိုစာရွက်များသည် နည်းပညာဆိုင်ရာ အသုံးအနှုန်းမှာ 'အက်တမ်အထူ ကျယ်ပြန့်သော band gap two-dimensional PbI2 ပုံဆောင်ခဲများ' ဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် နာနိုမီတာအနည်းငယ်သာထူသော အလွန်ပါးလွှာသော semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။” စာတမ်း၏ ပထမဆုံးရေးသားသူနှင့် နန်ကျင်းနည်းပညာတက္ကသိုလ်မှ ပါရဂူဘွဲ့အတွက် ကျောင်းသားတစ်ဦးဖြစ်သူ Sun Yan က ၎င်းတို့သည် ပေါင်းစပ်ရန်အတွက် ဖြေရှင်းချက်နည်းလမ်းကို အသုံးပြုခဲ့ပြီး ၎င်းသည် စက်ပစ္စည်းလိုအပ်ချက် အလွန်နည်းပါးပြီး ရိုးရှင်းမှု၊ မြန်ဆန်မှုနှင့် ထိရောက်မှုတို့၏ အားသာချက်များရှိပြီး ဧရိယာကျယ်ပြီး မြင့်မားသောအထွက်နှုန်းရှိသော ပစ္စည်းပြင်ဆင်မှု၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ကြောင်း ပြောကြားခဲ့သည်။ ပေါင်းစပ်ထားသော ခဲအိုင်အိုဒိုက် နာနိုစာရွက်များသည် ပုံမှန်တြိဂံပုံသဏ္ဍာန် သို့မဟုတ် ဆဋ္ဌဂံပုံသဏ္ဍာန်၊ ပျမ်းမျှအရွယ်အစား ၆ မိုက်ခရွန်၊ ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်နှင့် ကောင်းမွန်သော အလင်းဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။
သုတေသီများသည် ဤအလွန်ပါးလွှာသော ခဲအိုင်အိုဒိုက်၏ နာနိုစာရွက်ကို အတုဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော နှစ်ဘက်မြင် အကူးအပြောင်းသတ္တုဆာလဖိုက်များနှင့် ပေါင်းစပ်ကာ ၎င်းတို့ကို ပေါင်းစပ်ကာ မတူညီသော heterojunction အမျိုးအစားများကို ရရှိခဲ့သည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် စွမ်းအင်အဆင့်များကို မတူညီသောနည်းလမ်းများဖြင့် စီစဉ်ထားသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် ခဲအိုင်အိုဒိုက်သည် မတူညီသော နှစ်ဘက်မြင် အကူးအပြောင်းသတ္တုဆာလဖိုက်များ၏ အလင်းဆိုင်ရာစွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် မတူညီသောအကျိုးသက်ရောက်မှုများ ရှိနိုင်သည်။ ဤ band structure သည် luminous efficiency ကို ထိရောက်စွာတိုးတက်စေပြီး light-emitting diode များနှင့် laser များကဲ့သို့သော ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အထောက်အကူပြုပြီး display နှင့် lighting တွင် အသုံးပြုကာ photodetector များနှင့်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး ကိရိယာများ.
ဤအောင်မြင်မှုသည် အလွန်ပါးလွှာသော ခဲအိုင်အိုဒိုက်ဖြင့် နှစ်ဘက်မြင် အကူးအပြောင်းသတ္တု ဆာလဖိုက်ပစ္စည်းများ၏ အလင်းဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းညှိပေးပါသည်။ ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများကို အခြေခံသည့် ရိုးရာ optoelectronic ကိရိယာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဤအောင်မြင်မှုတွင် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်၊ မိုက်ခရိုနှင့် နာနိုတို့၏ ဝိသေသလက္ခဏာများ ရှိပါသည်။ ထို့ကြောင့် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော သတ္တုပြင်ဆင်မှုတွင် အသုံးချနိုင်ပါသည်။optoelectronic ကိရိယာများ၎င်းသည် ပေါင်းစပ်ထားသော မိုက်ခရိုနှင့် နာနို အော်တိုအီလက်ထရွန်းနစ် စက်ပစ္စည်းများ နယ်ပယ်တွင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှု အလားအလာရှိပြီး ဆိုလာဆဲလ်များ၊ ဓာတ်ပုံရှာဖွေကိရိယာများ စသည်တို့ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အကြံဉာဏ်အသစ်တစ်ခုကို ပေးစွမ်းပါသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၂၀ ရက်