ပါးလွှာ။ ပျော့ပျောင်းသော semiconductor ပစ္စည်းများ micro နှင့်ပြုလုပ်ရန်အသုံးပြုနိုင်သည်nano optoelectectrons devices များ
roperties, နန်နိုနာအနည်းငယ်သာရှိသောနန်နန်နာနာအချို့ကိုသာကောင်းကောင်းမွန်မွန်ဂုဏ်သတ္တိများ, ဆဲလ်များနှင့်phododetectors။ ရလဒ်များကိုအပြည်ပြည်ဆိုင်ရာဂျာနယ်၏နောက်ဆုံးအကြိမ်စာနယ်ဇင်းများတွင်ဖော်ပြခဲ့သည်။
"ပထမ ဦး ဆုံးအကြိမ်ပြင်ဆင်ထားတဲ့ Ultra -t ပါးလွှာသောခဲသော IDide nanoseets သည်" အနုမြူလက်နက်အထူကျယ်သောတီးဝိုင်းကွာဟမှု "နာတာရှည်သော semiconductor ပစ္စည်း" ဖြစ်သော ultra-plt semiconductor ပစ္စည်းသည်အလွန်ပါးလွှာသော semiconductor ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ " Sun Yan သည်စက္ကူ၏ပထမဆုံးစာရေးသူနှင့်နန်ကျင်းနည်းပညာတက္ကသိုလ်တွင်ပါ 0 င်ခွင့်ပြုသူတစ် ဦး ဖြစ်သည်ဟုပြောကြားခဲ့သည်။ Synthesized ခဲ iodide nanoseeets တွင်ပုံမှန်တြိဂံသို့မဟုတ်ဆ triangular or Hexagular ပုံသဏ် and ာန်ရှိပြီးပျမ်းမျှအရွယ်အစား 6 ခု,
သုတေသီများသည်ရှုထောင့်တစ်ရှုခင်းအသွင်ကူးပြောင်းမှုသတ္တုပြားများ, အတူတကွဒီဇိုင်းရေးဆွဲခြင်း, အတူတကွဒီဇိုင်းရေးဆွဲခြင်း, အတူတကွဒီဇိုင်းရေးဆွဲခြင်းနှင့်ကွဲပြားခြားနားသောမတူကွဲပြားသောကွဲပြားခြားနားသောကွဲပြားခြားနားသောမျိုးကွဲများကိုပေါင်းစပ်ထားသည့်သုတေသီများကသုတေသီများကဤ ultra-ptress sanoseet ကိုပေါင်းစပ်ထားသည်။ ဤတီးဝိုင်းဖွဲ့စည်းပုံသည်အလင်းထုတ်လွှတ်ခြင်းနှင့်လေဆာရောင်ခြည်များကဲ့သို့သောထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သောထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ခြင်းကိုထိထိရောက်ရောက်တိုးတက်စေနိုင်သည်။Photovoltaic ကိရိယာများ.
ဤအောင်မြင်မှုသည်ရှုထောင့်နှစ်လုံးလုံးအသွင်ကူးပြောင်းမှုသတ္တုပြားများကိုရှုထောင့်အစက်အပြောက်များနှင့်အလွန်အမင်းပါးလွှာသောသတ္တုများကရှုထောင့်မှောက်ခြင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းများ၏ဂုဏ်သတ္တိများကိုစည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများမှန်ကန်ကြောင်းသဘောပေါက်သည်။ ဆီလီကွန်အခြေစိုက်ပစ္စည်းများအပေါ် အခြေခံ. ရိုးရာ optoelelectronic ပစ္စည်းကိရိယာများနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်ဤအောင်မြင်မှုသည်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်, Micro နှင့် Nano တို့၏လက္ခဏာများရှိသည်။ ထို့ကြောင့်၎င်းကိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်။ ဘက်ပေါင်းစုံပြင်ဆင်ရန်ပြင်ဆင်ခြင်းတွင်အသုံးပြုနိုင်သည်Optoelectronic ကိရိယာများ။ ၎င်းသည်ပေါင်းစပ်ထားသောအသေးစားနှင့် nano optoelelectronic devices များ၏နယ်ပယ်တွင်ကျယ်ပြန့်သောလျှောက်လွှာအလားအလာရှိပြီးထုတ်လုပ်မှုနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးဆဲလ်များ,
Post Time: Sep-20-2023