-
Edge Emitting Laser (EEL) မိတ်ဆက်
Edge Emitting Laser (EEL) ၏ နိဒါန်းတွင် ပါဝါမြင့်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လေဆာအထွက်ကို ရရှိရန်အတွက် လက်ရှိနည်းပညာသည် edge emission structure ကို အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ edge-emitting semiconductor laser ၏ resonator သည် semiconductor crystal ၏ သဘာဝအတိုင်း dissociation မျက်နှာပြင်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော ultrafast wafer လေဆာနည်းပညာ
စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော ultrafast wafer လေဆာနည်းပညာကို အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှု၊ သတင်းအချက်အလက်၊ မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်၊ ဇီဝဆေးပညာ၊ နိုင်ငံတော်ကာကွယ်ရေးနှင့် စစ်ရေးနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြပြီး အမျိုးသားသိပ္ပံနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ တည်းခိုခန်းများကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် သက်ဆိုင်သော သိပ္ပံပညာဆိုင်ရာ သုတေသနများသည် အရေးကြီးပါသည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
TW class attosecond X-ray pulse လေဆာ
TW class attosecond X-ray pulse laser Attosecond X-ray pulse laser သည် စွမ်းအားမြင့်ပြီး တိုတောင်းသော pulse duration ဖြင့် ultrafast linear spectroscopy နှင့် X-ray diffraction imaging ကိုရရှိရန်သော့ချက်ဖြစ်သည်။ အမေရိကန်ပြည်ထောင်စုရှိ သုတေသနအဖွဲ့သည် ဓာတ်မှန် အခမဲ့ အီလက်ထရွန် လေဆာများကို အဆင့်နှစ်ဆင့်ဖြင့် ထုတ်လွှတ်ရန်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဒေါင်လိုက်အပေါက်အတွင်းမှ ထုတ်လွှတ်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလေဆာ (VCSEL) မိတ်ဆက်
Vertical cavity surface emitting semiconductor laser (VCSEL) ၏ နိဒါန်း ဒေါင်လိုက် ပြင်ပ အပေါက်အတွင်း မျက်နှာပြင် ထုတ်လွှတ်သော လေဆာများကို 1990 ခုနှစ် အလယ်ပိုင်းတွင် တီထွင်ခဲ့ပြီး သမားရိုးကျ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လေဆာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို နှောင့်ယှက်သည့် အဓိက ပြဿနာကို ကျော်လွှားနိုင်သည်- ပါဝါမြင့်သော လေဆာ အထွက်များကို မည်ကဲ့သို့ ထုတ်လုပ်မည်နည်း၊ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ကျယ်ပြန့်သော ရောင်စဉ်အတွင်း ဒုတိယ ဟာမိုနီများ၏ စိတ်လှုပ်ရှားမှု
ကျယ်ပြန့်သော spectrum တွင် ဒုတိယ ဟာမိုနီများကို လှုံ့ဆော်ခြင်း 1960 ခုနှစ်များတွင် ဒုတိယအစီအစဥ်မဟုတ်သော အလင်းပြန်မှုဆိုင်ရာ အကျိုးသက်ရောက်မှုများကို ရှာဖွေတွေ့ရှိပြီးကတည်းက သုတေသီများ၏ စိတ်ဝင်စားမှုကို နှိုးဆွပေးခဲ့ပြီး ယခုအချိန်အထိ သုတေသီများ၏ ဒုတိယ ဟာမိုနီနှင့် ကြိမ်နှုန်းအကျိုးသက်ရောက်မှုများအပေါ် အခြေခံ၍ လွန်ကဲသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်မှ ဝေးလံသော အနီအောက်ရောင်ခြည်လှိုင်းများအထိ ထုတ်လုပ်ပေးခဲ့ပါသည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Polarization electro-optic ထိန်းချုပ်မှုကို femtosecond လေဆာအရေးအသားနှင့် အရည်ပုံဆောင်ခဲ ပြုပြင်ခြင်းတို့ဖြင့် နားလည်သည်။
Polarization electro-optic ထိန်းချုပ်မှုကို femtosecond လေဆာအရေးအသားနှင့် အရည်ပုံဆောင်ခဲ မော်ဂျူလာဖြင့် ဂျာမနီရှိ သုတေသီများသည် femtosecond လေဆာအရေးအသားနှင့် အရည် crystal electro-optic modulation တို့ကို ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် optical signal control ၏ ဆန်းသစ်သောနည်းလမ်းကို တီထွင်ခဲ့ကြသည်။ အရည်ကြည်ကို မြှပ်ထားခြင်းဖြင့် ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
အလွန်ပြင်းထန်သော ultrashort လေဆာ၏ သွေးခုန်နှုန်းကို ပြောင်းလဲပါ။
အလွန်အားကောင်းသော ultrashort လေဆာများ၏ သွေးခုန်နှုန်းကို ပြောင်းလဲရန် စူပါအလွန်တိုလေဆာများသည် ယေဘူယျအားဖြင့် သွေးခုန်နှုန်း ဆယ်နှင့်ရာနှင့်ချီရှိသော လေဆာပဲမျိုးစုံ၊ terawatts နှင့် petawatts ၏ အထွတ်အထိပ်စွမ်းအား၊ ၎င်းတို့၏ အာရုံစူးစိုက်မှုပြင်းထန်မှုသည် 1018 W/cm2 ထက် ကျော်လွန်ပါသည်။ အလွန်တိုတောင်းသော လေဆာနှင့် ၎င်း၏...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တစ်ခုတည်းသောဖိုတွန် InGaAs ဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာ
Single photon InGaAs photodetector LiDAR ၏ လျင်မြန်သော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ အလိုအလျောက် ယာဉ်ခြေရာခံ ပုံရိပ်ဖော်နည်းပညာအတွက် အသုံးပြုသည့် အလင်းရှာဖွေခြင်းနည်းပညာနှင့် အမျိုးအစားကွဲပြားသည့်နည်းပညာသည်လည်း လိုအပ်ချက်များ ပိုမိုမြင့်မားပြီး ရိုးရာအလင်းရောင်နည်းပါးသောနေရာတွင် အသုံးပြုသည့် detector ၏ အာရုံခံနိုင်စွမ်းနှင့် အချိန်ပိုင်းပြတ်သားမှုတို့လည်း ရှိပါသည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
InGaAs photodetector ၏ဖွဲ့စည်းပုံ
InGaAs photodetector ၏ဖွဲ့စည်းပုံသည် 1980 ခုနှစ်များကတည်းက ပြည်တွင်းပြည်ပရှိ သုတေသီများသည် InGaAs photodetectors ၏ဖွဲ့စည်းပုံကို လေ့လာခဲ့ပြီး အမျိုးအစားသုံးမျိုးခွဲကာ အဓိကအားဖြင့် ခွဲခြားထားသည်။ ၎င်းတို့မှာ InGaAs metal-Semiconductor-metal photodetector (MSM-PD), InGaAs PIN Photodetector (PIN-PD) နှင့် InGaAs Avalanc...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ကြိမ်နှုန်းမြင့် အစွန်းရောက် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် အရင်းအမြစ်
ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော အလွန်အမင်းခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်အရင်းအမြစ်သည် အရောင်နှစ်ရောင်အကွက်များနှင့်ပေါင်းစပ်ပြီးနောက် ဖိသိပ်မှုနည်းပညာများသည် Tr-ARPES အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် Tr-ARPES အသုံးချမှုများအတွက် အလင်း၏လှိုင်းအလျားကို လျှော့ချပေးပြီး ဓာတ်ငွေ့အိုင်ယွန်ဖြစ်နိုင်ခြေကို တိုးမြင့်စေသည်မှာ ထိရောက်မှုရှိသည်ဟု ဆိုလိုသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
လွန်ကဲသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် အရင်းအမြစ် နည်းပညာ တိုးတက်လာသည်
လွန်ကဲသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် အရင်းအမြစ်နည်းပညာများ တိုးတက်လာခြင်း မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ လွန်ကဲသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် မြင့်မားသော ဟာမိုနီရင်းမြစ်များသည် ၎င်းတို့၏ ပြင်းထန်သော ပေါင်းစပ်မှု၊ သွေးခုန်နှုန်းတိုတိုနှင့် မြင့်မားသော ဖိုတွန်စွမ်းအင်တို့ကြောင့် အီလက်ထရွန်ဒိုင်းနမစ်နယ်ပယ်တွင် ကျယ်ပြန့်သော အာရုံစိုက်မှုကို ရရှိခဲ့ပြီး၊ အမျိုးမျိုးသော ရောင်စဉ်တန်းများနှင့်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ပိုမိုမြင့်မားသောပေါင်းစပ်ပါးလွှာသောဖလင်လီသီယမ် နီဘိတ်လျှပ်စစ်-အကြည့်မှန် မော်ဂျူးကိရိယာ
High linearity electro-optic modulator နှင့် microwave photon application များသည် ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ၏ လိုအပ်ချက်များ တိုးမြင့်လာသည်နှင့်အမျှ signals များ၏ transmission efficiency ကို ပိုမိုတိုးတက်စေရန်အတွက် လူများသည် ဖြည့်စွက်အားသာချက်များရရှိစေရန် photon နှင့် electron တို့ကို ပေါင်းစပ်ကာ microwave photonic...ပိုပြီးဖတ်ပါ
