InGaAs photodetector ၏ဖွဲ့စည်းပုံသည် 1980 ခုနှစ်များကတည်းက ပြည်တွင်းပြည်ပရှိ သုတေသီများသည် InGaAs photodetectors ၏ဖွဲ့စည်းပုံကို လေ့လာခဲ့ပြီး အမျိုးအစားသုံးမျိုးခွဲကာ အဓိကအားဖြင့် ခွဲခြားထားသည်။ ၎င်းတို့မှာ InGaAs metal-Semiconductor-metal photodetector (MSM-PD), InGaAs PIN Photodetector (PIN-PD) နှင့် InGaAs Avalanc...
ပိုပြီးဖတ်ပါ