၏အနာဂတ်electro optical modulators များ
Electro optic modulators များသည် ခေတ်မီ optoelectronic စနစ်များတွင် အဓိက အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး အလင်း၏ ဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းညှိခြင်းဖြင့် ဆက်သွယ်ရေးမှ ကွမ်တမ် ကွန်ပြူတာအထိ နယ်ပယ်များစွာတွင် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ဤစာတမ်းတွင် လက်ရှိအခြေအနေ၊ နောက်ဆုံးပေါ်အောင်မြင်မှုများနှင့် electro optic modulator နည်းပညာ၏ အနာဂတ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ဆွေးနွေးထားသည်။
ပုံ 1: ကွဲပြားခြားနားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှိုင်းယှဉ်optical modulatorပါးလွှာသောဖလင် lithium niobate (TFLN)၊ III-V လျှပ်စစ်စုပ်ယူမှုမွမ်းမံမှုများ (EAM)၊ ထည့်သွင်းဆုံးရှုံးမှု၊ လှိုင်းနှုန်း၊ ပါဝါသုံးစွဲမှု၊ အရွယ်အစားနှင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်တို့ အပါအဝင် နည်းပညာများတွင် ဆီလီကွန်အခြေခံနှင့် ပေါ်လီမာ မော်ဂျူလာကိရိယာများ။
ရိုးရာဆီလီကွန်အခြေခံ အီလက်ထရွန်းနစ် မော်ဂျူလတာများနှင့် ၎င်းတို့၏ ကန့်သတ်ချက်များ
ဆီလီကွန်အခြေခံ ဓါတ်ပုံလျှပ်စစ်အလင်း မော်ဂျူလတာများသည် အလင်းဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ၏ အခြေခံအဖြစ် နှစ်ပေါင်းများစွာကြာခဲ့ပြီ။ ပလာစမာပျံ့လွင့်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် အခြေခံ၍ အဆိုပါကိရိယာများသည် လွန်ခဲ့သည့် 25 နှစ်အတွင်း ထူးထူးခြားခြားတိုးတက်မှုများရရှိခဲ့ပြီး ဒေတာလွှဲပြောင်းမှုနှုန်းကို ပြင်းအားသုံးဆင့်ဖြင့် တိုးမြှင့်ခဲ့သည်။ ခေတ်မီဆီလီကွန်အခြေခံသော မော်ဂျူလတာများသည် 4-level pulse amplitude modulation (PAM4) အထိ 224 Gb/s နှင့် PAM8 modulation ဖြင့် 300 Gb/s ထက်ပို၍ပင် ရရှိနိုင်ပါသည်။
သို့သော်၊ ဆီလီကွန်အခြေခံသည့် မော်ဂျူလာများသည် ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများမှ အခြေခံ ကန့်သတ်ချက်များကို ရင်ဆိုင်ရသည်။ optical transceivers များသည် baud နှုန်းထက် 200+ Gbaud လိုအပ်သောအခါ၊ ဤကိရိယာများ၏ bandwidth သည် ဝယ်လိုအားပြည့်မီရန် ခက်ခဲသည်။ ဤကန့်သတ်ချက်သည် ဆီလီကွန်၏ မွေးရာပါဂုဏ်သတ္တိများ ကြောင့်ဖြစ်သည် - လုံလောက်သောလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကိုထိန်းသိမ်းထားစဉ် အလင်းရောင်အလွန်အကျွံဆုံးရှုံးခြင်းမှရှောင်ရှားခြင်းချိန်ခွင်လျှာသည် မလွှဲမရှောင်သာသောအပေးအယူများကိုဖန်တီးပေးသည်။
ထွန်းသစ်စ Modulator နည်းပညာနှင့် ပစ္စည်းများ
မိရိုးဖလာ ဆီလီကွန်အခြေခံ မော်ဂျူလတာများ၏ ကန့်သတ်ချက်များသည် အစားထိုးပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်နည်းပညာများဆီသို့ သုတေသနကို တွန်းအားပေးခဲ့သည်။ ပါးလွှာသောဖလင် lithium niobate သည် မျိုးဆက်သစ် modulators အတွက် အလားအလာအရှိဆုံး ပလက်ဖောင်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်လာသည်။ပါးလွှာသော ဖလင် လစ်သီယမ် နီအိုဘိတ် လျှပ်ကူးပစ္စည်း မော်ဂျူလတာများကျယ်ပြန့်သော ဖောက်ထွင်းမြင်ရသော ပြတင်းပေါက်၊ ကြီးမားသော အီလက်ထရွန်းအလင်း ကိန်းဂဏန်း (r33 = 31pm/V) linear cell Kers effect သည် လှိုင်းအလျားအကွာအဝေးများစွာတွင် လည်ပတ်နိုင်သည်
ပါးလွှာသော ဖလင်လီသီယမ် နီယိုဘိတ်နည်းပညာတွင် မကြာသေးမီက တိုးတက်မှုများသည် ချန်နယ်တစ်ခုလျှင် ဒေတာနှုန်း 1.96 Tb/s ဖြင့် 260 Gbaud တွင် လုပ်ဆောင်နေသော မော်ဂျူးကိရိယာ အပါအဝင် ထူးထူးခြားခြား ရလဒ်များ ထွက်ပေါ်လာခဲ့သည်။ ပလပ်ဖောင်းတွင် CMOS-သဟဇာတရှိသော drive ဗို့အားနှင့် 100 GHz 3-dB bandwidth ကဲ့သို့သော ထူးခြားသောအားသာချက်များရှိသည်။
ထွန်းသစ်စနည်းပညာလျှောက်လွှာ
Electro optic modulator များ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် နယ်ပယ်များစွာတွင် ပေါ်ထွက်နေသော application များနှင့် နီးကပ်စွာ ဆက်စပ်နေသည်။ ဉာဏ်ရည်တုနှင့် ဒေတာစင်တာနယ်ပယ်၊မြန်နှုန်းမြင့် modulators များအပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုများ၏မျိုးဆက်သစ်များအတွက်အရေးကြီးပြီး AI ကွန်ပြူတာအက်ပလီကေးရှင်းများသည် 800G နှင့် 1.6T pluggable transceivers များအတွက် လိုအပ်ချက်ကို တွန်းအားပေးနေသည်။ Modulator နည်းပညာကိုလည်း အသုံးချသည်- ကွမ်တမ် သတင်းအချက် အလက်များကို လုပ်ဆောင်ခြင်း neuromorphic တွက်ချက်ခြင်း အကြိမ်ရေ ရွေ့လျားမှု အဆက်မပြတ်လှိုင်း (FMCW) lidar မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ဖိုတွန် နည်းပညာ
အထူးသဖြင့်၊ ပါးလွှာသော ဖလင် lithium niobate electro-optic modulator များသည် စက်သင်ယူမှုနှင့် ဉာဏ်ရည်တုဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများကို အရှိန်မြှင့်ပေးသည့် မြန်ဆန်သော ပါဝါနိမ့်သော မော်ဂျူလာများကို ပံ့ပိုးပေးသည့် optical computational processing engines တွင် ခွန်အားကိုပြသသည်။ ထိုကဲ့သို့သော မော်ဂျူလတာများသည် အပူချိန်နိမ့်သောနေရာတွင်လည်း လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး superconducting လိုင်းများရှိ ကွမ်တမ်-ဂန္တဝင် အင်တာဖေ့စ်များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
မျိုးဆက်သစ် electro optic modulator များ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် အဓိကစိန်ခေါ်မှုများစွာကို ရင်ဆိုင်ရပါသည်- ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့် စကေး- ပါးလွှာသောဖလင် လီသီယမ် နီအိုဘိတ် မော်ဂျူလတာများသည် လောလောဆယ်တွင် 150 mm wafer ထုတ်လုပ်မှုကို ကန့်သတ်ထားသောကြောင့် ကုန်ကျစရိတ်ပိုမိုမြင့်မားပါသည်။ စက်ရုံသည် ရုပ်ရှင်၏ တူညီမှုနှင့် အရည်အသွေးကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ် wafer အရွယ်အစားကို ချဲ့ထွင်ရန် လိုအပ်သည်။ ပေါင်းစပ်ခြင်းနှင့် ပူးပေါင်းဒီဇိုင်း: အောင်မြင်သော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုစွမ်းဆောင်ရည်မြင့် modulators များoptoelectronics နှင့် အီလက်ထရွန်းနစ် ချစ်ပ်ဒီဇိုင်နာများ၊ EDA ပေးသွင်းသူများ၊ founts နှင့် ထုပ်ပိုးမှုဆိုင်ရာ ကျွမ်းကျင်သူများ ပူးပေါင်းပါဝင်သည့် ပြည့်စုံသော ပူးပေါင်းဒီဇိုင်းစွမ်းရည်များ လိုအပ်ပါသည်။ ထုတ်လုပ်မှုရှုပ်ထွေးမှု- ဆီလီကွန်အခြေခံ optoelectronics လုပ်ငန်းစဉ်များသည် အဆင့်မြင့် CMOS အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများထက် ပိုမိုရှုပ်ထွေးသော်လည်း၊ တည်ငြိမ်သောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အထွက်နှုန်းကိုရရှိရန် သိသာထင်ရှားသောကျွမ်းကျင်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
AI တိုးတက်မှုနှင့် ပထဝီဝင်နိုင်ငံရေးဆိုင်ရာ အကြောင်းရင်းများကြောင့် နယ်ပယ်သည် ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ အစိုးရများ၊ စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့် ပုဂ္ဂလိကကဏ္ဍတို့မှ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုများ တိုးမြင့်လာကာ ပညာရပ်ဆိုင်ရာနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းတို့အကြား ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုအတွက် အခွင့်အလမ်းသစ်များ ဖန်တီးပေးကာ ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကို အရှိန်မြှင့်ရန် ကတိပြုလျက်ရှိသည်။
စာတိုက်အချိန်- ဒီဇင်ဘာ-၃၀-၂၀၂၄