အော်ဂဲနစ် ဓာတ်ပုံရှာဖွေစက်များ၏ နောက်ဆုံးပေါ် သုတေသနရလဒ်များ

သုတေသီများသည် CMOS ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများနှင့် လိုက်ဖက်ညီပြီး အာရုံခံနိုင်စွမ်းမြင့်မားသော ပွင့်လင်းမြင်သာသော အော်ဂဲနစ် ဓာတ်ပုံရှာဖွေစက်အသစ်များကို စုပ်ယူသည့် အစိမ်းရောင်အလင်းကို တီထွင်ပြီး သရုပ်ပြခဲ့ကြသည်။ ဤဓာတ်ပုံရှာဖွေစက်အသစ်များကို ဆီလီကွန် ဟိုက်ဘရစ်ပုံရိပ်အာရုံခံကိရိယာများတွင် ထည့်သွင်းခြင်းသည် အသုံးချမှုများစွာအတွက် အသုံးဝင်နိုင်သည်။ ဤအသုံးချမှုများတွင် အလင်းအခြေခံ နှလုံးခုန်နှုန်းစောင့်ကြည့်ခြင်း၊ လက်ဗွေရာမှတ်မိခြင်းနှင့် အနီးအနားရှိ အရာဝတ္ထုများရှိနေခြင်းကို ထောက်လှမ်းသည့် ကိရိယာများ ပါဝင်သည်။

စမတ်ဖုန်းများ သို့မဟုတ် သိပ္ပံကင်မရာများတွင် အသုံးပြုသည်ဖြစ်စေ ယနေ့ခေတ် ပုံရိပ်ဖော်အာရုံခံကိရိယာအများစုသည် CMOS နည်းပညာနှင့် အလင်းအချက်ပြမှုများကို လျှပ်စစ်အချက်ပြမှုများအဖြစ် ပြောင်းလဲပေးသည့် inorganic photodetectors များကို အခြေခံထားသည်။ အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော photodetectors များသည် အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေနိုင်သောကြောင့် အာရုံစိုက်မှုကို ဆွဲဆောင်နေသော်လည်း၊ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော အော်ဂဲနစ် photodetectors များကို ထုတ်လုပ်ရန် ယခုအချိန်အထိ ခက်ခဲနေဆဲဖြစ်သည်။

တောင်ကိုရီးယားနိုင်ငံ၊ Ajou တက္ကသိုလ်မှ တွဲဖက်ဦးဆောင်သုတေသီ Sungjun Park က “အမြောက်အမြားထုတ်လုပ်ထားသော CMOS ပုံရိပ်အာရုံခံကိရိယာများတွင် အော်ဂဲနစ်ဖိုတိုဒိုင်အိုဒက်တာများ ထည့်သွင်းရန်အတွက် ကြီးမားသောအတိုင်းအတာဖြင့် ထုတ်လုပ်ရလွယ်ကူပြီး မှောင်မိုက်နေသောနေရာတွင် မြင့်မားသော frame rate များဖြင့် ထက်မြက်သောပုံရိပ်များကို ထုတ်လုပ်ပေးနိုင်သည့် ကြည်လင်ပြတ်သားသော ရုပ်ပုံများကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည့် အော်ဂဲနစ်အလင်းစုပ်ယူကိရိယာများ လိုအပ်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဤလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသော ပွင့်လင်းမြင်သာပြီး အစိမ်းရောင်-အာရုံခံနိုင်သော အော်ဂဲနစ်ဖိုတိုဒိုင်အိုဒိုများကို တီထွင်ခဲ့ပါသည်” ဟု ပြောကြားခဲ့သည်။

သုတေသီများသည် Optica ဂျာနယ်တွင် အော်ဂဲနစ် ဖိုတိုဒိုင်းတာအသစ်ကို ဖော်ပြထားသည်။ ၎င်းတို့သည် အနီနှင့် အပြာရောင် filter များပါရှိသော ဆီလီကွန် ဖိုတိုဒိုင်းပေါ်တွင် အစိမ်းရောင်စုပ်ယူသည့် အော်ဂဲနစ် ဖိုတိုဒိုင်းတစ်ခုကို ထပ်တင်ခြင်းဖြင့် hybrid RGB imaging sensor တစ်ခုကိုလည်း ဖန်တီးခဲ့ကြသည်။

တောင်ကိုရီးယားနိုင်ငံရှိ Samsung အဆင့်မြင့်နည်းပညာအင်စတီကျု (SAIT) မှ သုတေသနအဖွဲ့၏ တွဲဖက်ခေါင်းဆောင် Kyung-Bae Park က “hybrid organic buffer layer ကို မိတ်ဆက်ခြင်းကြောင့် ဤပုံရိပ်အာရုံခံကိရိယာများတွင် အသုံးပြုသော အစိမ်းရောင်ရွေးချယ်အလင်းစုပ်ယူသည့် organic layer သည် မတူညီသောအရောင် pixel များအကြား crosstalk ကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးပြီး ဤဒီဇိုင်းအသစ်သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် organic photodiodes များကို အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် imaging module များနှင့် photosensors များ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်လာစေနိုင်သည်” ဟု ပြောကြားခဲ့သည်။

ပိုမိုလက်တွေ့ကျသော အော်ဂဲနစ် ဓာတ်ပုံရှာဖွေကိရိယာများ

အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းအများစုသည် အပူချိန်ကို အာရုံခံနိုင်စွမ်းမရှိခြင်းကြောင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုအတွက် မသင့်တော်ပါ။ ၎င်းတို့သည် ကုသမှုအပြီးတွင်အသုံးပြုသော မြင့်မားသောအပူချိန်ကို မခံနိုင်ခြင်း သို့မဟုတ် အလယ်အလတ်အပူချိန်တွင် ကြာရှည်စွာအသုံးပြုသောအခါ မတည်မငြိမ်ဖြစ်လာခြင်း စသည်တို့ ဖြစ်နိုင်သည်။ ဤစိန်ခေါ်မှုကို ကျော်လွှားရန်အတွက် သိပ္ပံပညာရှင်များသည် တည်ငြိမ်မှု၊ ထိရောက်မှုနှင့် ထောက်လှမ်းမှုတို့ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန် photodetector ၏ buffer layer ကို ပြုပြင်မွမ်းမံရန် အာရုံစိုက်ခဲ့ကြသည်။ ထောက်လှမ်းနိုင်စွမ်းသည် အာရုံခံကိရိယာတစ်ခုသည် အားနည်းသောအချက်ပြမှုများကို မည်မျှကောင်းမွန်စွာ ထောက်လှမ်းနိုင်သည်ကို တိုင်းတာခြင်းဖြစ်သည်။ “ကျွန်ုပ်တို့သည် bath copper line (BCP) : C60 hybrid buffer layer ကို အီလက်ထရွန်သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးအလွှာအဖြစ် မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး ၎င်းသည် အော်ဂဲနစ် photodetector အား အထူးဂုဏ်သတ္တိများပေးစွမ်းသည်၊ ၎င်းတွင် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အလွန်နိမ့်သောမှောင်မိုက်စီးကြောင်းအပါအဝင် ဆူညံသံကိုလျှော့ချပေးသည်” ဟု Sungjun Park က ပြောကြားခဲ့သည်။ photodetector ကို အနီနှင့်အပြာ filter များပါရှိသော silicon photodiode ပေါ်တွင် hybrid image sensor တစ်ခုဖန်တီးရန် ထားနိုင်သည်။

သုတေသီများက အသစ်ထွက်ရှိလာသော photodetector သည် ရိုးရာ silicon photodiodes များနှင့် နှိုင်းယှဉ်နိုင်သော ထောက်လှမ်းမှုနှုန်းများကို ပြသကြောင်း ပြသခဲ့သည်။ detector သည် ၁၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထက် အပူချိန်တွင် ၂ နာရီကြာ တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်ပြီး ၈၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ၃၀ ရက်ကြာ ရေရှည်လည်ပတ်မှုတည်ငြိမ်မှုကို ပြသခဲ့သည်။ ဤ photodetector များသည် ကောင်းမွန်သောအရောင်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုလည်း ပြသသည်။

ထို့နောက် ၎င်းတို့သည် မိုဘိုင်းနှင့် ဝတ်ဆင်နိုင်သော အာရုံခံကိရိယာများ (CMOS image sensor များအပါအဝင်)၊ proximity sensor များနှင့် မျက်နှာပြင်များပေါ်ရှိ လက်ဗွေရာကိရိယာများကဲ့သို့သော အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် photodetector အသစ်များနှင့် hybrid image sensor များကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ရန် စီစဉ်ထားသည်။