အမျိုးအစားdevice ကို deviceodectorဆောက်လုပ်ပုံ
Photodetectoroptical signal ကိုလျှပ်စစ် signal ကိုလျှပ်စစ် signal ကိုပြောင်းလဲစေသည့်ကိရိယာသည်အဓိကအားဖြင့်အောက်ပါအမျိုးအစားများခွဲခြားနိုင်သည်။
(1) photoconductive photodetector
photoconductive devices များသည်အလင်းနှင့်ထိတွေ့သောအခါဓာတ်ပုံရိုက်ကူးသူသည်သူတို့၏စီးကူးမှုကိုတိုးမြှင့်ပေးပြီး၎င်းတို့၏ခုခံမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။ အခန်းအပူချိန်တွင်စိတ်လှုပ်ရှားဖွယ်သယ်ဆောင်သူများသည်လျှပ်စစ်နယ်ပယ်တစ်ခု၏လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင်ရှိသောလမ်းစဉ်အတိုင်းရွေ့လျားနေပြီးလက်ရှိဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အလင်း၏အခြေအနေအရအီလက်ထရွန်များသည်စိတ်လှုပ်ရှားစရာကောင်းပြီးအကူးအပြောင်းများဖြစ်ပေါ်လာသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်သူတို့သည် potocurrent တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်လျှပ်စစ်နယ်ပယ်တစ်ခု၏လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင်ပျံ့ပျံ့နှံ့သည်။ ရရှိလာတဲ့ဓာတ်ပုံရုံတွေကကိရိယာရဲ့စီးစီးဆင်းမှုကိုတိုးမြှင့်ပေးပြီးခုခံမှုကိုလျှော့ချပေးတယ်။ photoconductive photodetectors များသည်များသောအားဖြင့်မြင့်မားသောအမြတ်အစွန်းနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်များတွင်ကြီးမားသောတုန့်ပြန်မှုများကိုပြသနိုင်သော်လည်း၎င်းတို့သည်အဆင့်မြင့်သော optical signals များကိုတုန့်ပြန်နိုင်ခြင်းမရှိသေးသော်လည်းအချို့သောရှုထောင့်များတွင် photoconductive devices များအသုံးပြုခြင်းကိုကန့်သတ်ထားသည်။
(2)phoodetector pn
P-Type Semiconductor ပစ္စည်းနှင့် n-type semiconductor ပစ္စည်းအကြား P-type P-type P-type P-type P-type Mondodetector မှဖွဲ့စည်းသည်။ အဆက်အသွယ်မဖွဲ့စည်းမီပစ္စည်းနှစ်ခုသည်သီးခြားပြည်နယ်တွင်ရှိသည်။ p-type အမျိုးအစား semiconductor အတွက် fermi level သည် valence band ၏အစွန်းနှင့်နီးသည်။ N-type Semiconductor ရှိ Fermi Level သည် conduction band ၏အစွန်းနှင့်နီးသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် conduction တီးဝိုင်းအစွန်းအစွန်အဖျားရှိ N-type ပစ္စည်းများ၏ Fermi Level သည် two two fermi level သည်တူညီသောအနေအထားတွင်မစိုးရိမ်ပါ။ conduction band နှင့် valence band ၏အနေအထားကိုပြောင်းလဲခြင်းသည်တီးဝိုင်း၏ကွေးခြင်းဖြင့်လည်းလိုက်ပါလာသည်။ PN လမ်းဆုံသည် Equilibrium တွင်ရှိပြီး Fermi အဆင့်ရှိသည်။ Charge Carrier Analysis ၏ရှုထောင့်ကနေ P-type ပစ္စည်းများရှိစွဲချက်သယ်ဆောင်သူအများစုသည်တွင်းများဖြစ်သည်။ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးအာရုံစူးစိုက်မှုကွာခြားမှုကြောင့်ပစ္စည်းနှစ်ခုသည်အဆက်အသွယ်ရှိသည့်အခါ N-type ပစ္စည်းများရှိအီလက်ထရွန်များသည် p-type ကိုကွဲပြားစေပြီး N-type ပစ္စည်းများရှိအီလက်ထရွန်များသည်ဆန့်ကျင်ဘက် ဦး တည်ချက်တွင်ပေါက်ကွဲလိမ့်မည်။ အီလက်ထရွန်နှင့်အပေါက်များပျံ့နှံ့ခြင်းဖြင့်ကျန်ရှိသည့်ပမာဏကိုလျှပ်စစ်ဖြန့်ဖြူးခြင်းနှင့်တည်ဆောက်ထားသောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားစီးဆင်းမှုသည်လေယာဉ်တင်သင်္ဘောများပျံ့နှံ့မှုနှင့်ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သည်။ ပြည်တွင်းရေးအရှိန်အဟုန်မျှတမှု။
PN Junction သည်အလင်းရောင်ရောင်ခြည်နှင့်ထိတွေ့သောအခါဖိုတွန်၏စွမ်းအင်ကိုလေယာဉ်တင်သင်္ဘောသို့ပြောင်းရွှေ့သည်။ ၎င်းသည် PhotoGenerated Electron-hole pair ကိုထုတ်လုပ်သည်။ လျှပ်စစ်လယ်ကွင်း၏လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင်အီလက်ထရွန်နှင့်အပေါက်သည် N တိုင်းဒေသသို့ပျံ့နှံ့သွားပြီး Photagenerated Carrier ၏ directional dift-serirof ကိုထုတ်ပေးသည်။ ဤသည် PN JunctionOptector ၏အခြေခံနိယာမဖြစ်သည်။
(3)Pin Phododetector
PIN photoDiode သည် p-type အမျိုးအစားဖြစ်ပြီးကျွန်ုပ်အလွှာအကြား n-type ပစ္စည်းများဖြစ်သော i layer အကြားရှိ N-type ပစ္စည်းများသည်ယေဘုယျအားဖြင့်အထင်ကြီးစရာသို့မဟုတ်နိမ့်သောပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏လုပ်ငန်းယန္တရားသည် Pin Junction သည် Pin Junction သည်အလင်းရောင်ရောင်ခြည်နှင့်ထိတွေ့ကာဖိုတွန်သည်အီလက်ထရွန်သို့အလွယ်တကူလွှဲပြောင်းပေးပြီး, Layer မှပါ 0 င်သည့်အခန်းကဏ် pin သည်ကြီးမားသောဘက်လိုက်သည့်ဗင်းနုတ်အမှုအောက်တွင်ကျွန်ုပ်လုံးလုံးလျားလျားပြတ်တောက်သွားသောအလွှာသည်လျင်မြန်စွာကွဲသွားလိမ့်မည်။ ငါအလွှာအပြင်ဘက်ရှိသယ်ဆောင်သူများသည်ပျံ့နှံ့ရွေ့လျားမှုမှတဆင့်ပျောက်ကွယ်သွားသည့်အလွှာမှကောက်ခံခြင်း, ငါအလွှာ၏အထူသည်ယေဘုယျအားဖြင့်အလွန်ပါးလွှာပြီး၎င်း၏ရည်ရွယ်ချက်မှာ detector ၏တုန့်ပြန်မှုမြန်နှုန်းကိုတိုးတက်စေရန်ဖြစ်သည်။
(4)photodetectoravalanche photodode
၏ယန္တရားavalanche photododePN လမ်းဆုံ၏ဆင်တူသည်။ APD photodetector သည် APD ရှာဖွေတွေ့ရှိမှုအပေါ် အခြေခံ. operating operating operating volction သည်ကြီးမားသော doped Pn Junction ကိုအသုံးပြုသည်။ APD သည်နောက်ပြန်ဘက်လိုက်မှုနည်းပါးသောအခါလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးသည့်အလွှာရှိလျှပ်စစ်နယ်ပယ်သည်အလွန်အားကောင်းလာပြီးအလင်းမှထုတ်လုပ်သောဓာတ်ပုံများသည်လျှပ်စစ်လယ်မြေ၏လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင်လျင်မြန်စွာကွဲကွာသွားပြီးလျင်မြန်စွာပျံ့နှံ့သွားလိမ့်မည်။ အီလက်ထရွန်များသည်ဤလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းရာဇမတ်ကွက်ထဲသို့ဝင်လာလိမ့်မည်ဟုဖြစ်နိုင်ချေရှိရန်ဖြစ်နိုင်ခြေရှိသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ကိုထပ်ခါတလဲလဲပြုလုပ်သည်။ ရာဇမတ်ကွက်များရှိအိုင်းယွန်းများသည်ရာဇမတ်ကွက်များနှင့်လည်းတိုက်မိပြီး APD ရှိတာဝန်ခံသယ်ဆောင်သူအရေအတွက်တိုးလာသည်။ APD အခြေပြုရှာဖွေစက်များသည်အစာရှောင်ခြင်းတုန့်ပြန်မှုမြန်နှုန်း, ကြီးမားသောလက်ရှိတန်ဖိုးအမြတ်နှင့်အလွန်အမင်းထိခိုက်လွယ်မှုနှင့်မြင့်မားသော sensitivity ၏ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်ဟု APD ၏ထူးခြားသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာယန္တရားဖြစ်သည်။ PN Junction နှင့် Pin Junction နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက APD သည်ပိုမိုမြန်ဆန်သောတုန့်ပြန်မှုမြန်နှုန်းရှိပြီးလက်ရှိ Photosensitive tubes များအကြားအမြန်ဆုံးတုံ့ပြန်မှုမြန်နှုန်းဖြစ်သည်။
(5) Schottky Junction Photodetetor
Schottky Junction of of Schottky Junction Photodetector ၏အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံမှာ Schottky diode တစ်ခုဖြစ်ပြီး၎င်းတွင်အထက်တွင်ဖော်ပြထားသော PN လမ်းဆုံနှင့်ဆင်တူသည့် Schottky diode တစ်ခုဖြစ်ပြီး၎င်းသည်အထက်တွင်ဖော်ပြထားသော PN လမ်းဆုံနှင့်ဆင်တူသည်။ မြင့်မားသောအလုပ်လည်ပတ်မှုနှင့်အတူသတ္တုတစ်မျိုးနှင့် Semiconductor အနိမ့်အလုပ်လည်ပတ်မှုပုံစံနှင့်အတူ semottky အတားအဆီးကိုဖွဲ့စည်းပြီး, အဓိကယန္တရားသည် PN လမ်းဆုံနှင့်တူသည်။ ပစ္စည်းပစ္စယပုံစံနှစ်မျိုး၏ကွဲပြားခြားနားသောအီလက်ထရွန်များဖြစ်သောအီလက်ထရွန်များသည်စေးဒူးတွင်ရှိသောအီလက်ထရောနစ်သည်ဒြပ်ထုတွင်ရှိသောအီလက်ထရွန်သည်ဒြပ်ထုကိုဖြည့်ဆည်းပေးသည်။ ပျံ့နှံ့နေသောအီလက်ထရွန်များသည်သတ္တုတစ်ဖက်တည်းတွင်အဆက်မပြတ်စုဆောင်းနေသဖြင့် Semiconductor မှသတ္တုမှသတ္တုမှသတ္တုတစ်မျိုးတည်းကိုဖွဲ့စည်းထားပြီးနောက်ဆုံးတွင်အီလက်ထရွန်များသည်လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ဌာန၏အရေးယူမှုများကိုပြုလုပ်ပြီးလေယာဉ်တင်သင်္ဘော၏ပျံ့နှံ့မှုနှင့်ရွေ့လျားမှုကိုတစ်ပြိုင်နက်ပြုလုပ်လိမ့်မည် schottky လမ်းဆုံ။ အလင်းအခြေအနေများအရအတားအဆီးဒေသသည်အလင်းကိုတိုက်ရိုက်စုပ်ယူပြီးအီလက်ထရွန်ပေါက်ကွဲမှုများကိုထုတ်ပေးသည်။ PN လမ်းဆုံရှိဓာတ်ပုံများလမ်းဆုံတွင်ဓာတ်ပုံပြန့်ပွားဒေသများသို့သွားရန်လိုအပ်သည်။ PN Junction နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် Schottky Junction အပေါ် အခြေခံ. photodetector သည်ပိုမိုမြန်ဆန်သောတုန့်ပြန်မှုနှုန်းရှိပြီးတုံ့ပြန်မှုမြန်နှုန်းသည် NS အဆင့်သို့ရောက်ရှိနိုင်သည်။
Post Time: Aug-13-2024