Semiconductor Laser ၏အလုပ်လုပ်နိယာမ

၏အလုပ်လုပ်နိယာမsemiconductor လေဆာ

ပထမ ဦး စွာ Semiconductor Pasers များအတွက် parameter လိုအပ်ချက်များကိုအဓိကအားဖြင့်အောက်ပါရှုထောင့်များအပါအ 0 င်မိတ်ဆက်ပေးထားသည်။
1 ။ photoeencric စွမ်းဆောင်ရည် - မျိုးသုမန်အချိုးအစား, ပြောင်းလဲနေသောမျဉ်းကြောင်းနှင့်အခြား parameters များအပါအ 0 င်ဤအချက်များသည် Semiconductor Lasers ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုဆက်သွယ်ရေးစနစ်များကိုတိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။
2 ။ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ parameters တွေကို: ထိုကဲ့သို့သော luminous အရွယ်အစားနှင့်အစီအစဉ်အဖြစ်ထုတ်ယူအဆုံး, installation အရွယ်အစားနှင့်အောက်လိုင်းအရွယ်အစား။
3 ။ လှိုင်းအလျား: Semiconductor Laser ၏လှိုင်းအလျားအကွာအဝေးသည် 650 ~ 1650nm ဖြစ်ပြီးတိကျမှန်ကန်မှုသည်မြင့်မားသည်။
4 ။ တံခါးခုံလက်ရှိ (ith) နှင့် operating လက်ရှိ (LOP) - ဤအချက်များသည် Semiconductor Laser ၏ start-up အခြေအနေများနှင့်လုပ်ငန်းခွင်အခြေအနေများကိုဆုံးဖြတ်သည်။
5 ။ ပါဝါနှင့်ဗို့အား - အလုပ်, PV, PI နှင့် IV curves ကိုပါဝါ, ဗို့အားနှင့် semiconductor လေဆာရောင်ခြည်ကိုတိုင်းတာခြင်းအားဖြင့်၎င်းတို့၏အလုပ်လုပ်ဝိသေသလက္ခဏာများကိုနားလည်ရန်ရေးဆွဲနိုင်သည်။

အလုပ်လုပ်နိယာမ
1 ။ အခြေအနေများ - လာသည့်အလတ်စား (တက်ကြွသောဒေသ) တွင်အားသွင်းထားသောသယ်ဆောင်သူများ၏ပြောင်းပြန်များဖြန့်ဖြူးခြင်းကိုတည်ဆောက်ခြင်းကိုတည်ဆောက်ခြင်းဖြစ်သည်။ Semiconductor တွင်အီလက်ထရွန်၏စွမ်းအင်သည်စွမ်းအင်ပမာဏနီးပါးဆက်တိုက်ရရှိသည်။ ထို့ကြောင့်မြင့်မားသောစွမ်းအင်ပြည်နယ်ရှိ conduction band ၏အောက်ခြေတွင်အီလက်ထရွန်အရေအတွက်သည်စွမ်းအင်အဖွဲ့များ၏ပြောင်း 0 င်ရောက်မှုကိုအောင်မြင်ရန်စွမ်းအင်နည်းပါးသောစွမ်းအင်နည်းပါးသောစွမ်းအင်နည်းပါးသောအပေါက်၏ထိပ်ရှိအပေါက်အရေအတွက်ထက်ပိုမိုကြီးမားရမည်။ ဤအချက်ကို homojunction သို့မဟုတ် heterojunction သို့မဟုတ် HeteroJunction ကို အသုံးပြု. လိုအပ်သောသယ်ဆောင်သူများအားစွမ်းအင် valence band မှအီလက်ထရောနစ်မှအီလက်ထရောနစ်မှအီလက်ထရောနစ်မှအီလက်ထရောနစ်များကိုစိတ်လှုပ်ရှားစေနိုင်သည်။ ပြောင်းပြန်အမှုန်လူ ဦး ရေအမှုန်လူ ဦး ရေအထဲ၌အီလက်ထရွန်အမြောက်အများတွင်အပေါက်များဖြင့်ပြန်လည်ပေါင်းစည်းသည့်အခါလှုံ့ဆော်မှုထုတ်လွှတ်မှုဖြစ်ပေါ်လာသည်။
2 ။ အမှန်တကယ်ဆိုနိုင်သည်ကိုလှုံ့ဆော်ပေးသည့်ဓါတ်ရောင်ခြည်ကိုအမှန်တကယ်ရရှိရန်လှုံ့ဆော်မှုသည်လေဆာရောင်ခြည်၏ပဲ့တင်ထပ်နေတတ်သောရေငွေ့၏ပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုကိုကြိတ်ဆုံပေးပြီး, ရုပ်ရှင် FP Cavity (Fabry-Perot လိုင်) Semiconductor Laser အတွက် FP လိုင်သည် Crystal ၏ PN Junctal Perane သို့ PIN CLEATage လေယာဉ်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့်အလွယ်တကူတည်ဆောက်နိုင်သည်။
(3) တည်ငြိမ်သော oscillation ကိုဖွဲ့စည်းရန်လေဆာအလတ်စားသည်တွန်းအားပေးခြင်းကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသောအလားအလာနှင့်လေဆာရောင်ခြည်မျက်နှာပြင်မှလေဆာရောင်ခြည်မှထွက်လာသောဆုံးရှုံးမှုများကြောင့်အလုံအလောက်အမြောက်အမြားပေးနိုင်ပြီးအခေါင်းပေါက်ပေါက်ကိုအမြဲတိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။ ၎င်းတွင်ခိုင်မာသောလက်ရှိထိုးဆေးတစ်ခုရှိရမည်, ဆိုလိုသည်မှာအမှုန်အရေအတွက်ပြောင်းပြန်ခြင်း, အမှုန်အရေအတွက်ပြောင်းပြန်မှုပိုမိုမြင့်မားလေလေအမြတ်သည်လက်ရှိတံခါးခုံအခြေအနေနှင့်ကိုက်ညီရမည်။ လေဆာရောင်ခြည်သည်တံခါးခုံသို့ရောက်သောအခါသတ်သတ်မှတ်မှတ်လှိုင်းအလျားတစ်ခုနှင့်အတူအလင်းကိုလိုင်ခေါင်းပေါ်သို့လှည့်ဖြားနိုင်သည်။

စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်
1 ။ Modulation Bandwidth နှင့် Rate: Semiconductor လေဆာရောင်ခြည်နှင့်၎င်းတို့၏မော်ဂျူလ်နည်းပညာသည်ကြိုးမဲ့ optical compory တွင်အလွန်အရေးကြီးသည်။ ပြည်တွင်းရွှေ့ပြောင်း modulated လေဆာ (တိုက်ရိုက် modulated လေဆာ) အမြင့်ဆုံးမြန်နှုန်းထုတ်လွှင့်မှုနှင့်ကုန်ကျစရိတ်သက်သာခြင်းကြောင့် optical fiber ဆက်သွယ်ရေးအတွက်ကွဲပြားခြားနားသောနယ်ပယ်များတွင်ကွဲပြားခြားနားသောနယ်ပယ်များအတွက်သင့်လျော်သည်။
2 ။ Spectral ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် Modulation ဝိသေသလက္ခဏာများ - semiconductor feedback လေဆာများကိုဖြန့်ဝေသည် (DFB လေဆာ) အလွန်ကောင်းမွန်သောရောင်ရမ်းခြင်းစသည့်သွင်ပြင်လက္ခဏာများကြောင့် optical fiber ဆက်သွယ်ရေးနှင့်အာကာသ optical ဆက်သွယ်ရေးတို့တွင်အရေးကြီးသောအလင်းအရင်းအမြစ်တစ်ခုဖြစ်လာသည်။
3 ။ ကုန်ကျစရိတ်နှင့်အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှု - Semiconductor လေဆာရောင်ခြည်များသည်ကြီးမားသောထုတ်လုပ်မှုနှင့်အသုံးချပရိုဂရမ်များ၏လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည့်နှင့်အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှု၏အားသာချက်များရှိသည်။
4 ။ ပါဝါစားသုံးမှုနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု - ဒေတာစင်တာများကဲ့သို့သောအပလီကေးရှင်းများအနေဖြင့် Semiconductor လေဆာရောင်ခြည်သည်ရေရှည်တည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေရန်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားသုံးစွဲမှုနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနည်းပါးသည်။