၄၅၇nm မြင့်မားသောပါဝါတစ်ခုတည်းကြိမ်နှုန်းအပြာရောင်လေဆာ
တစ်ကြိမ်တည်းသော ကြိမ်နှုန်းဖြင့် 457nm မြင့်မားသော ပါဝါတစ်ခုတည်းရှိသော အပြာရောင်လေဆာ၏ အလင်းလမ်းကြောင်းဒီဇိုင်း
အသုံးပြုထားသော ပန့်အရင်းအမြစ်မှာ 30 W fiber-coupled laser diode array ဖြစ်သည်။ ဒုတိယအနေဖြင့် mode selection အတွက် ring resonator ကို ရွေးချယ်ထားသည်။ အဆုံးမျက်နှာပြင်ကို 0.1% ပမာဏရှိသော 5 mm အရှည် Nd3+-doped yttrium vanadate (Nd:YVO4) crystal ဖြင့် ပန့်ထားသည်။ ထို့နောက် I-type phase-matched lithium triborate (LBO) crystal cavity မှတစ်ဆင့် ဒုတိယ harmonic ကို ထုတ်ပေးပြီး 457nm high-power single-frequency ကို ရရှိစေပါသည်။လေဆာအထွက်။ ပန့်ပါဝါ 30 W ဖြစ်သောအခါ၊ 457nm single-frequency laser ၏ အထွက်ပါဝါမှာ 5.43 W၊ အလယ်ဗဟိုလှိုင်းအလျားမှာ 457.06 nm၊ အလင်းမှအလင်းသို့ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုမှာ 18.1% နှင့် ၁ နာရီအတွင်း ပါဝါတည်ငြိမ်မှုမှာ 0.464% ဖြစ်သည်။ 457nm laser သည် resonator အတွင်းရှိ fundamental mode တွင်လည်ပတ်သည်။ x နှင့် y ဦးတည်ရာများတစ်လျှောက်ရှိ beam quality factors များသည် အသီးသီး 1.04 နှင့် 1.07 ဖြစ်ပြီး light spot ၏ ellipticity မှာ 97% ဖြစ်သည်။
မြင့်မားသောပါဝါရှိသော အပြာရောင်အလင်း၏ အလင်းလမ်းကြောင်း၏ ဖော်ပြချက်တစ်ခုတည်းသောကြိမ်နှုန်းလေဆာ
ပန့်အရင်းအမြစ်သည် optical fiber-coupled ကို အသုံးပြုသည်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာဒိုင်အိုဒ်808 nm ၏ အလယ်ဗဟိုလှိုင်းအလျား၊ 30 W ၏ စဉ်ဆက်မပြတ်ထွက်ရှိမှုပါဝါနှင့် 400 μm ၏ ဖိုက်ဘာအူတိုင်အချင်းရှိပြီး 0.22 ၏ ဂဏန်းသင်္ချာအပေါက်ရှိသော array။
ပန့်အလင်းကို 20 mm focal length ရှိသော plano-convex မှန်ဘီလူးနှစ်ခုဖြင့် collimated လုပ်ပြီး focus လုပ်ပြီးနောက် incident ပေါ်တွင် ကျရောက်သည်။လေဆာပုံဆောင်ခဲ။ လေဆာပုံဆောင်ခဲသည် 0.1% doping ပမာဏရှိသော 3 mm × 3 mm × 5 mm Nd:YVO4 ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုဖြစ်ပြီး အဆုံးနှစ်ဖက်စလုံးတွင် 808 nm နှင့် 914 nm anti-reflection film များထည့်သွင်းထားပြီး ပုံဆောင်ခဲကို indium foil ဖြင့်ထုပ်ပိုးကာ ကြေးနီညှပ်ကိရိယာတွင်ထားရှိသည်။ ကြေးနီညှပ်ကိရိယာကို semiconductor cooler ဖြင့် အပူချိန်ကိုတိကျစွာထိန်းချုပ်ထားပြီး 15℃ တွင်သတ်မှတ်ထားသည်။
ပဲ့တင်ထပ်စက်သည် M1၊ M2၊ M3 နှင့် M4 တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော မှန်လေးချပ်ပါ လက်စွပ်အခေါင်းပေါက်တစ်ခုဖြစ်သည်။
M1 သည် 808 nm၊ 1064 nm နှင့် 1342 nm anti-reflection films (R<0.05%) နှင့် 914 nm total reflection film (R>99.8%) ရှိသော plane output mirror တစ်ခုဖြစ်သည်။ M4 သည် 914 nm total reflection film (R>99.8%)၊ 457 nm နှင့် 1064 nm၊ 1342 nm anti-reflection films (R<0.02%) ရှိသော plane output mirror တစ်ခုဖြစ်သည်။ M2 နှင့် M3 နှစ်ခုစလုံးသည် curvature radius r = 100 mm ရှိသော plano-concave mirrors များဖြစ်ပြီး plane ပေါ်တွင် 1064 nm နှင့် 1342 nm anti-reflection films (R<0.05%) နှင့် concave မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် 914 nm နှင့် 457 nm total reflection films (R>99.8%) ရှိသည်။
သံလိုက်စက်ကွင်းထဲတွင် ထားရှိသော half-wave plate နှင့် TGG crystal နှစ်ခုစလုံးတွင် 914 nm anti-reflection films (R<0.02%) ရှိသည်။ TGG နှင့် half-wave plate တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော optical unidirectional device ကို မိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့် laser ကို ring resonator တွင် unidirectional လည်ပတ်ရန် အတင်းအကျပ်ခိုင်းစေခံရပြီး ထို့ကြောင့် laser သည် single-frequency state တွင် တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်ကြောင်း သေချာစေသည်။ FP သည် 2 mm အထူရှိပြီး 50% double-sided coated reflectivity ရှိသော standard piece တစ်ခုဖြစ်ပြီး cavity အတွင်းရှိ laser ၏ single-frequency operation ကို secondary narrowing လုပ်ဆောင်သည်။ LBO crystal ကို frequency doubling crystal အဖြစ် 3 mm × 3 mm × 15 mm အရွယ်အစားဖြင့် ရွေးချယ်ထားပြီး 914 nm နှင့် 457 nm anti-reflection films (R<0.02%) ဖြင့် ಲೇಪထားပြီး I-type phase matching ဖြင့် ဖြတ်တောက်သည့် angle θ = 90°၊ φ = 21.9° ရှိသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၆ ခုနှစ်၊ ဇန်နဝါရီလ ၂၂ ရက်