ဒီနေ့ OFC2024 ကို ကြည့်ကြရအောင်။ဓာတ်ပုံထောက်လှမ်းကိရိယာများတွင် အဓိကအားဖြင့် GeSi PD/APD၊ InP SOA-PD နှင့် UTC-PD ပါဝင်သည်။
၁။ UCDAVIS သည် အားနည်းသော ပဲ့တင်ထပ်သည့် 1315.5nm non-symmetric Fabry-Perot ကို ဖော်ထုတ်သည်ဓာတ်ပုံရှာဖွေကိရိယာအလွန်သေးငယ်သော capacitance ဖြင့် 0.08 fF ခန့်မှန်းခြေရှိသည်။ bias သည် -1V (-2V) ဖြစ်သောအခါ၊ dark current သည် 0.72 nA (3.40 nA) ဖြစ်ပြီး response rate သည် 0.93a /W (0.96a /W) ဖြစ်သည်။ saturated optical power သည် 2 mW (3 mW) ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် 38 GHz မြန်နှုန်းမြင့် data စမ်းသပ်မှုများကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။
အောက်ပါပုံတွင် AFP PD ၏ဖွဲ့စည်းပုံကိုပြသထားပြီး Ge-on- နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသော waveguide ပါဝင်သည်Si ဖိုတိုထောက်လှမ်းကိရိယာရှေ့ SOI-Ge waveguide ဖြင့် 90% > mode matching coupling ကို <10% ဖြင့် ရရှိသည်။ နောက်ဘက်တွင် 95% > reflectivity ရှိသော distributed Bragg reflector (DBR) ပါရှိသည်။ အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော cavity ဒီဇိုင်း (round-trip phase matching condition) မှတစ်ဆင့် AFP resonator ၏ reflection နှင့် transmission ကို ဖယ်ရှားနိုင်ပြီး Ge detector ၏ absorption ကို 100% နီးပါးအထိ ရရှိစေသည်။ central wavelength ၏ 20nm bandwidth တစ်ခုလုံးတွင် R+T <2% (-17 dB) ရှိသည်။ Ge width သည် 0.6µm ရှိပြီး capacitance သည် 0.08fF ဟု ခန့်မှန်းရသည်။
၂။ Huazhong သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာတက္ကသိုလ်မှ ဆီလီကွန်ဂျာမေနီယမ်ကို ထုတ်လုပ်ခဲ့သည်။နှင်းလျှောစီးဖိုတိုဒိုင်အိုဒိုက်၊ bandwidth >67 GHz၊ gain >6.6။ SACMAPD အလင်းရှာဖွေကိရိယာtransverse pipin junction ရဲ့ဖွဲ့စည်းပုံကို silicon optical platform ပေါ်မှာ တည်ဆောက်ထားပါတယ်။ Intrinsic germanium (i-Ge) နဲ့ intrinsic silicon (i-Si) တို့ဟာ အလင်းစုပ်ယူတဲ့အလွှာနဲ့ electron doubling layer အဖြစ် အသီးသီးဆောင်ရွက်ပါတယ်။ 14µm အရှည်ရှိတဲ့ i-Ge ဒေသဟာ 1550nm မှာ လုံလောက်တဲ့အလင်းစုပ်ယူမှုကို အာမခံပါတယ်။ i-Ge နဲ့ i-Si ဒေသငယ်လေးတွေဟာ photocurrent density ကို တိုးမြှင့်ပေးပြီး bias voltage မြင့်မားတဲ့အခြေအနေမှာ bandwidth ကို တိုးချဲ့ပေးပါတယ်။ APD eye map ကို -10.6 V မှာ တိုင်းတာခဲ့ပါတယ်။ -14 dBm ရဲ့ input optical power နဲ့ 50 Gb/s နဲ့ 64 Gb/s OOK signal တွေရဲ့ eye map ကို အောက်မှာပြထားပြီး တိုင်းတာထားတဲ့ SNR က အသီးသီး 17.8 နဲ့ 13.2 dB ဖြစ်ပါတယ်။
၃။ IHP ၈ လက်မ BiCMOS လေယာဉ်မှူးလိုင်း အဆောက်အအုံများသည် ဂျာမေနီယမ်ကို ပြသထားသည်PD ဖိုတိုထောက်လှမ်းကိရိယာ100 nm ခန့်ရှိသော fin width ရှိသောကြောင့် အမြင့်ဆုံးလျှပ်စစ်စက်ကွင်းနှင့် အတိုဆုံး photocarrier drift time ကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ Ge PD တွင် OE bandwidth 265 GHz@2V@1.0mA DC photocurrent ရှိသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်စီးဆင်းမှုကို အောက်တွင်ပြထားသည်။ အကြီးမားဆုံးအင်္ဂါရပ်မှာ ရိုးရာ SI ရောနှောအိုင်းယွန်းထည့်သွင်းမှုကို စွန့်လွှတ်ပြီး ဂျာမေနီယမ်အပေါ် အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းမှု၏ လွှမ်းမိုးမှုကို ရှောင်ရှားရန် growth etching အစီအစဉ်ကို လက်ခံကျင့်သုံးခြင်းဖြစ်သည်။ dark current မှာ 100nA,R = 0.45A /W ဖြစ်သည်။
၄။ HHI သည် SSC၊ MQW-SOA နှင့် မြန်နှုန်းမြင့် photodetector တို့ပါဝင်သော InP SOA-PD ကို ပြသထားသည်။ O-band အတွက်။ PD သည် 1 dB PDL အောက်ဖြင့် 0.57 A/W တုံ့ပြန်မှုရှိပြီး SOA-PD သည် 1 dB PDL အောက်ဖြင့် 24 A/W တုံ့ပြန်မှုရှိသည်။ နှစ်ခုလုံး၏ bandwidth သည် ~60GHz ရှိပြီး 1 GHz ကွာခြားချက်ကို SOA ၏ resonance frequency ကြောင့်ဟု ယူဆနိုင်သည်။ တကယ့်မျက်လုံးပုံရိပ်တွင် pattern effect ကို မတွေ့ရပါ။ SOA-PD သည် 56 GBaud တွင် လိုအပ်သော optical power ကို 13 dB ခန့် လျှော့ချပေးသည်။
၅။ ETH သည် Type II တိုးတက်ကောင်းမွန်သော GaInAsSb/InP UTC-PD ကို အကောင်အထည်ဖော်ထားပြီး၊ 60GHz @ zero bias နှင့် 100GHz တွင် -11 DBM ၏ မြင့်မားသော output power ရှိသည်။ GaInAsSb ၏ မြှင့်တင်ထားသော electron transport စွမ်းရည်များကို အသုံးပြု၍ ယခင်ရလဒ်များ၏ ဆက်လက်လုပ်ဆောင်ခြင်း။ ဤစာတမ်းတွင်၊ အကောင်းဆုံး absorption layer များတွင် 100 nm ၏ heavyly doped GaInAsSb နှင့် 20 nm ၏ undoped GaInAsSb တို့ ပါဝင်သည်။ NID layer သည် overall responsiveness ကို တိုးတက်စေရန် ကူညီပေးပြီး device ၏ overall capacitance ကို လျှော့ချရန်နှင့် bandwidth ကို တိုးတက်စေရန်လည်း ကူညီပေးသည်။ 64µm2 UTC-PD တွင် 60 GHz zero-bias bandwidth၊ 100 GHz တွင် -11 dBm output power နှင့် 5.5 mA saturation current ရှိသည်။ 3 V reverse bias တွင် bandwidth သည် 110 GHz အထိ တိုးလာသည်။
၆။ Innolight သည် device doping၊ electric field distribution နှင့် photo-generated carrier transfer time တို့ကို အပြည့်အဝထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းဖြင့် germanium silicon photodetector ၏ frequency response model ကို တည်ထောင်ခဲ့သည်။ application အများအပြားတွင် input power ကြီးမားခြင်းနှင့် bandwidth မြင့်မားခြင်း လိုအပ်ချက်ကြောင့် optical power input ကြီးမားခြင်းသည် bandwidth ကို လျော့ကျစေသောကြောင့် အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်မှုမှာ structural design ဖြင့် germanium ရှိ carrier concentration ကို လျှော့ချရန်ဖြစ်သည်။
၇။ Tsinghua တက္ကသိုလ်သည် UTC-PD အမျိုးအစားသုံးမျိုးကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခဲ့သည်- (၁) saturation power မြင့်မားသော UTC-PD ရှိသော 100GHz bandwidth double drift layer (DDL) ဖွဲ့စည်းပုံ၊ (၂) responsiveness မြင့်မားသော UTC-PD ရှိသော 100GHz bandwidth double drift layer (DCL) ဖွဲ့စည်းပုံ၊ (၃) saturation power မြင့်မားသော 230 GHZ bandwidth MUTC-PD၊ မတူညီသော application scenarios များအတွက်၊ saturation power မြင့်မားခြင်း၊ bandwidth မြင့်မားခြင်းနှင့် responsiveness မြင့်မားခြင်းတို့သည် အနာဂတ်တွင် 200G ခေတ်သို့ ဝင်ရောက်သည့်အခါ အသုံးဝင်နိုင်ပါသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ သြဂုတ်လ ၁၉ ရက်