တစ်ဆိုတာ ဘာလဲကျယ်ပြန့်သော ထိတွေ့မှုရှိသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ
လေဆာများကို distributed fiber optic sensing systems (DOFS) အားလုံးနီးပါးတွင် အသုံးပြုကြသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ၎င်းတို့သည် ထိရောက်စွာ ထိုးသွင်းနိုင်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ပါဝါမြင့်လေဆာများဖိုက်ဘာများထဲသို့။ သို့သော် လေဆာအမျိုးအစား အမျိုးမျိုးရှိပြီး အဓိကအမျိုးအစားများကို ပေါင်းစပ်မှုအရှည် တိုးလာခြင်းအလိုက်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ရောင်စဉ်အကျယ် လျော့ကျလာခြင်းအလိုက် မိတ်ဆက်ပေးထားသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် လေဆာသည် ၎င်းမှတစ်ဆင့် ပျံ့နှံ့သွားသော အလင်းကို ချဲ့ထွင်ပေးပြီး gain cycling အတွက် ချဲ့ထွင်ထားသော အလင်းကို gain medium သို့ ပြန်ပို့ရန် feedback ပေးသည့် gain medium ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ထို့ကြောင့် gain medium အတွင်း spontaneous emission မှစတင်၍ ပိုမိုအားကောင်းပြီး ပိုမိုညီညွတ်သော အလင်းလှိုင်းများကို ထုတ်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့၏ ဝိသေသလက္ခဏာများသည် gain medium နှင့် feedback ဂုဏ်သတ္တိများ နှစ်မျိုးလုံးပေါ်တွင် မူတည်သည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် feedback သည် mode တစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသော mode များကို ဖွဲ့စည်းပေးသည့် resonant structure ကို ပေးစွမ်းပြီး တစ်ခုချင်းစီသည် ကျဉ်းမြောင်းသော spectral range အတွင်း ထုတ်လွှတ်သည်။
ကျယ်ပြန့်သောဆက်သွယ်မှုတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာအရိုးရှင်းဆုံးနှင့် အစောဆုံး semiconductor laser သည် direct bandgap ပစ္စည်း (ဥပမာ GaAs) ၏ pn junction ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော semiconductor gain region တစ်ခုပါဝင်ပြီး laser chip ၏ သန့်စင်ထားသော မျက်နှာပြင်များမှ ရောင်ပြန်ဟပ်မှုဖြင့် feedback ပေးပါသည်။ laser chip များ၏ အရှည်မှာ များသောအားဖြင့် မိုက်ခရိုမီတာ ရာပေါင်းများစွာ ရှိပါသည်။ ဤချိတ်ဆက်မှုဖွဲ့စည်းပုံကို charge carrier များနှင့် gain region အတွင်း ပျံ့နှံ့နေသော အလင်းကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း ကန့်သတ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ diode များအနေဖြင့် ဤ device များတွင် နှစ်ဖက်စလုံးတွင် လျှပ်စစ်အဆက်အသွယ်များ ရှိသည်။ broad contact device တွင် အပေါ် electrode အကျယ်မှာ မိုက်ခရိုမီတာ ဆယ်ဂဏန်းများစွာ (ပုံမှန်အားဖြင့် 75 μ m ခန့်) ရှိသည်။ ထို့ကြောင့် အလင်းထုတ်လွှတ်မှုသည် ဤအကျယ်တစ်လျှောက်တွင် မျဉ်းတစ်ကြောင်း ဖွဲ့စည်းပြီး ၎င်းသည် junction နှင့် ထောင့်မှန်ကျသော plane တွင် single-mode ဖြစ်ပြီး junction နှင့် အပြိုင် plane တွင် ရှုပ်ထွေးသော multi-mode light field distribution ကို တင်ပြသည်။ ဤ emission mode ကြောင့် wide contact laser များကို multimode fiber များထဲသို့သာ ထိရောက်စွာ ချိတ်ဆက်နိုင်သည်။ သို့သော် broad contact laser ၏ ပါဝါမှာ အတော်လေး မြင့်မားပြီး pulsed operating conditions များတွင် 75 μ m electrode device သည် 10 W ထက်ပိုသော peak power ကို ပုံမှန်အားဖြင့် ထုတ်လွှတ်ပေးနိုင်သည်။
ကျယ်ပြန့်သောထိတွေ့မှုလေဆာဒိုင်အိုဒ်များသည် Raman multimode distributed temperature sensing system အမျိုးအစားအချို့အတွက် သင့်လျော်ပါသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ဤစနစ်များသည် မြင့်မားသော spectral purity မလိုအပ်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် controlled micro bending ကို sensing mechanism အဖြစ်အသုံးပြုသည့် system များကဲ့သို့သော loss based sensor များအတွက်လည်း အသုံးချနိုင်ပါသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: မတ်လ-၁၁-၂၀၂၆